太阳城集团

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提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化.pdf

摘要
申请专利号:

太阳城集团CN201110421372.8

申请日:

2011.12.13

公开号:

CN102569197B

公开日:

2015.01.07

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8238申请日:20111213|||公开
IPC分类号: H01L21/8238; H01L27/092 主分类号: H01L21/8238
申请人: 格罗方德半导体公司
发明人: R·里克特; T·胡伊辛加
地址: 英国开曼群岛
优先权: 2010.12.22 US 12/975,515
专利代理机构: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
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法律状态
申请(专利)号:

太阳城集团CN201110421372.8

授权太阳城集团号:

102569197B||||||

法律状态太阳城集团日:

2015.01.07|||2012.09.12|||2012.07.11

法律状态类型:

授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

本发明涉及提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化,提供一种制造半导体装置的方法,其开始于在半导体晶圆上制作n-型金氧半导体(NMOS)晶体管结构。该方法继续在该NMOS晶体管结构上方形成光学反射层、在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料层、以及通过施加紫外线照射以固化该伸展应力诱发材料层。一些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层,而一些该紫外线照射则通过从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层。

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法,该方法包含:
在半导体晶圆上制作n-型金氧半导体NMOS晶体管结构;
在该NMOS晶体管结构上方形成光学反射层;
在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料层;以及
固化该伸展应力诱发材料层,其是通过施加紫外线照射,使得一
些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层,并使得一些该紫
外线照射则通过从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,该光学反射层的形成包含
沉积具有反射系数低于该伸展应力诱发材料层的材料。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,形成该光学反射层包含沉
积硅氧化物材料。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,该硅氧材料的沉积包含沉
积该硅氧化物材料至小于10奈米的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,该伸展应力诱发材料层的
形成包含沉积伸展电浆提高氮化物TPEN材料。
6.根据权利要求1所述的方法,还包含在该半导体晶圆上制作p-
型金氧半导体PMOS晶体管结构,该光学反射层是形成在该NMOS晶体
管结构和该PMOS晶体管结构上方。
7.根据权利要求1所述的方法,还包含:
在固化该伸展应力诱发材料层以获得固化的伸展应力诱发材料层
后,在该固化的伸展应力诱发材料层上方形成第二伸展应力诱发材料
层;以及
通过施加紫外线照射至该第二伸展应力诱发材料层,以固化该第
二伸展应力诱发材料层。
8.一种半导体装置,包含:
至少一个n-型金氧半导体NMOS晶体管结构,在半导体晶圆上;
至少一个p-型金氧半导体PMOS晶体管结构,在该半导体晶圆上;
光学反射材料层,在该至少一个NMOS晶体管结构和该至少一个
PMOS晶体管结构上方;以及
伸展应力诱发材料层,在该光学反射材料层上方,该伸展应力诱
发材料层是由从该光学反射材料层所反射的紫外线照射所固化。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,该光学反射材料具
有的反射系数低于该伸展应力诱发材料。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,该光学反射材料包
含硅氧化物材料。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,该硅氧化物材料
的厚度小于10奈米。
12.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,该伸展应力诱发材
料包含伸展电浆提高氮化物TPEN材料。
13.一种制造半导体装置的方法,该方法包含:
在半导体晶圆上制作n-型金氧半导体NMOS晶体管结构,该NMOS
晶体管结构包含曝露的终端接点区域;
修饰该曝露的终端接点区域的光学反射性质,以创造该NMOS晶体
管结构的光学反射区域;
在该光学反射区域上方形成伸展应力诱发材料层;以及
固化该伸展应力诱发材料层,其是通过施加紫外线照射,使得一
些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层,并使得一些该紫
外线照射则通过从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,该光学反射层的修饰包
含氧化该曝露的终端接点区域。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,该曝露的终端接点区域
的氧化包含将含氧电浆引进该曝露的终端接点区域。
16.根据权利要求13所述的方法,其中,该光学反射性质的修饰
包含改变该曝露的终端接点区域的反射系数,以使该反射系数低于该
伸展应力诱发材料层的反射系数。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,该伸展应力诱发材料层
的形成包含沉积伸展电浆提高氮化物TPEN材料。
18.根据权利要求13所述的方法,还包含:
在固化该伸展应力诱发材料层以获得固化的伸展应力诱发材料层
后,在该固化的伸展应力诱发材料层上方形成第二伸展应力诱发材料
层;以及
通过施加紫外线照射至该第二伸展应力诱发材料层,以固化该第
二伸展应力诱发材料层。

说明书

提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化

技术领域

本文所揭露的标的的实施例大体上太阳城集团半导体装置和相关制作技
术。更特别的是,该标的的实施例是太阳城集团针对半导体晶体管装置使用
紫外线固化的伸展应力衬垫。

背景技术

大多数今日的集成电路(IC)均使用多个互连的场效晶体管(FET)
来加以实作,该场效晶体管可具体为金氧半场效晶体管(MOSFET或MOS
晶体管)。MOS晶体管可具体为p-型装置(也就是,PMOS晶体管)或n-
型装置(也就是,NMOS晶体管)。此外,半导体装置可包含PMOS和NMOS
晶体管两者,并且,这种装置通常称为互补式MOS或CMOS装置。MOS
晶体管包含栅极电极(其是形成在半导体衬底之上,以作为控制电极)、
以及形成在该半导体衬底内间隔开的源极和漏极区域,电流在该源极
和漏极区域之间流动。该源极和漏极区域通常可经由形成在该源极和
漏极区域上的导电接点来加以存取。施加在该栅极电极、该源极接点、
和该漏极接点的偏压,控制该半导体衬底中、经过该栅极电极下方的
该源极和漏极区域之间的沟道的电流的流动。形成在绝缘层中的导电
金属互连(插塞)通常是用来将偏压传送至该栅极、源极、和漏极接点。

应力衬垫(stress liners)通常是用来提高MOS晶体管装置的效
能。举例来说,伸展应力(tensile stress)衬垫材料可形成在NMOS晶
体管装置上方,而压缩应力(compressive stress)衬垫材料则可形成
在PMOS晶体管装置上方。伸展电浆增强型(plasma enhanced)氮化物
(TPEN)通常是用来作为伸展应力衬垫材料。一些制作工艺以紫外线(UV)
照射来固化该TPEN衬垫,以提高该TPEN衬垫材料的伸展性质。该UV
照射的穿透深度可能因为该晶体管装置的拓扑(topology),而不足以
均匀地固化该TPEN衬垫。

针对UV固化的TPEN衬垫的非均匀性而提出的现有技术和工艺是
没有效率的、复杂的、耗时的、及/或所费不赀的。因此,希望具有有
效并具成本效益的方案,来解决非均匀的UV固化的TPEN衬垫材料。

发明内容

本发明提供一种制造半导体装置的方法的范例实施例。该方法在
半导体晶圆上制作NMOS晶体管结构。该方法继续在该NMOS晶体管结
构上方形成光学反射层、在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料
层、以及通过施加紫外线照射,以使一些该紫外线照射直接地照射该
伸展应力诱发材料层、而一些该紫外线照射则通过从该光学反射层反
射以照射该伸展应力诱发材料层,来固化该伸展应力诱发材料层。

本发明也提供半导体装置的范例实施例。该半导体装置包含:至
少一个n-型金氧半导体(NMOS)晶体管结构,在半导体晶圆上;至少一
个p-型金氧半导体(PMOS)晶体管结构,在该半导体晶圆上;以及光学
反射材料层,在该至少一个NMOS晶体管结构和该至少一个PMOS晶体
管结构上方。该半导体装置也包含伸展应力诱发材料层,在该光学反
射材料层上方。该伸展应力诱发材料层是由从该光学反射材料层所反
射的紫外线照射所固化。

本发明也提供制造半导体装置的另一范例实施例。该方法包含:
在半导体晶圆上制作n-型金氧半导体(NMOS)晶体管结构,该NMOS晶体
管结构包含曝露的终端接点区域;修饰该曝露的终端接点区域的光学
反射性质,以创造该NMOS晶体管结构的光学反射区域;在该光学反射
区域上方形成伸展应力诱发材料层;以及通过施加紫外线照射,以使
一些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层、而一些该紫外
线照射则通过从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层,来
固化该伸展应力诱发材料层。

此发明内容的提供是将概念的选择引进简化的形式,其在下文中
将有详细的描述。此发明内容并不意图确认所请求的标的的关键或主
要特征,也不意图使用作为决定所请求的标的的范围。

附图说明

该标的的更完整了解可参考详细描述和申请权利范围、当一并考
虑接下来的图式时,来加以推导,其中,相同的参考编号从头到尾是
指类似的组件。

图1为进行传统UV固化步骤的半导体晶体管装置结构的剖视图;

图2至图6为例示半导体装置和相关制作工艺的范例实施例的剖
视图;以及

图7和8为例示另一半导体装置和相关制作工艺的范例实施例的
剖视图。

具体实施方式

接下来的详细描述在本质上仅为例示之用,因此,并不意图限制
该标的的实施例或这种实施例的应用或使用。如本文中所使用的,「范
例」二字是指「作为例子、举例、或例示」。本文所描述为范例的任何
实作均不必要解读为较佳于或较有利于其它实作。此外,并不意图为
任何呈现在发明所属的技术领域、背景技术、发明内容、或接下来的
详细描述中明示或暗示的理论所限制。

为了简洁起见,与半导体装置制作相关的传统技术,在本文中并
没有详细的描述。此外,本文所描述的各种任务和工艺步骤均可并入
至具有在本文中也并没有详细描述的额外步骤或功能的更复杂程序或
工艺。尤其是,制造基于半导体的晶体管中的各种步骤已众所周知,
并且因此(为了简洁起见)许多传统步骤在本文中仅简短提到、或完全
省略,而没有提供已众所周知的工艺细节。

本文所描述的技术和科技可用来制作具有一个或多个晶体管装置
(通常为MOS晶体管装置)的半导体装置。虽然「MOS装置」术语适当地
指具有金属栅极电极和氧化物栅极绝缘体的装置,但是那个术语将可
完全地用来指包含导体栅极电极(不管是金属、抑或是其它导体材料)
的任何半导体装置,该导体栅极电极是位在栅极绝缘体(不管是氧化
物、抑或是其它绝缘体)之上,而该栅极绝缘体则接着位于半导体衬底
之上。

此处所描述的技术和科技是太阳城集团使用UV照射,来固化半导体晶体
管装置的伸展应力衬垫材料。伸展应力衬垫可连同特定的CMOS工艺一
起使用。举例来说,现有的CMOS工艺采用UV-固化的TPEN作为NMOS
晶体管装置的应力衬垫。就这方面而言,图1为进行传统UV固化步骤
的晶体管装置结构100的剖面图。该晶体管装置结构100包含栅极堆
栈102,其是形成在晶圆或衬底的半导体材料104之上。图1绘示TPEN
层106,其为一致地(conformally)沉积在该栅极堆栈102之上。

在UV固化前,该TPEN 106的应力可大约为(例如)1.0GPa。图2
绘示使用来固化该TPEN 106的UV照射108。在UV固化后,该TPEN 106
的应力增加。举例来说,该UV固化的TPEN 106的应力可大约为1.7GPa。
实际上,该UV照射108的穿透深度是有所限制的。一般而言,该UV
照射108的穿透深度小于大约100奈米(nm),并且经常小于大约50奈
米。因此,如果该TPEN 106太厚,则该UV照射108无法均匀地固化
该TPEN层106的下区域。参照图1,该TPEN 106的相对薄的区域110
可充分地固化,但该相对厚的区域112则无法充分地固化(尤其是该下
区域)。换言之,该UV固化和所导致的伸展应力增加可能会由于该晶
体管装置结构100的拓扑而变得非均匀且不一致。

现有的制作方式解决非均匀固化TPEN的前述问题。此方案通过实
施多重TPEN沉积和UV固化步骤,而达成较好的UV固化均匀性。此方
式在该晶体管结构上方沉积初始且相对薄的TPEN层,并以UV照射来
固化该初始层。之后,第二相对薄的TPEN层沉积在该固化的初始TPEN
层上方。接下来,对该第二TPEN层施以第二UV固化步骤。如果需要
的话,则该沉积和固化步骤可重复三次或更多次。虽然此方式导致较
好的UV固化均匀性,但是该多重步骤需要额外的处理太阳城集团和因此所产
生的额外制作费用。

此处所提出的制作工艺可使用来创造采用单一应力衬垫科技的具
有UV固化的伸展应力诱发层的半导体装置。单一应力衬垫科技是指
下述制作工艺:使用共同的应力衬垫(例如,伸展应力衬垫)用于半导
体晶圆上的NMOS和PMOS晶体管装置两者。实际上,如果单一伸展应
力衬垫使用于NMOS和PMOS晶体管装置,则可加工或处理该应力衬垫
在该PMOS晶体管上方的部分,以减少可能由该伸展材料所引进的任何
不利效果。

图2至6为例示依据范例实施例制作半导体装置的剖面图。图2
绘示已经完成数个预先和传统前端工艺步骤后的位于半导体晶圆
202(或其它衬底)上的半导体装置结构200。该装置结构200可使用硅
上绝缘体(SOI)衬底或晶圆来加以形成,该衬底或晶圆包含支持层、在
该支持层上方的绝缘层、及在该绝缘层上方的半导体材料层。在其它
的实施例中,该装置结构200可形成在块状(bulk)半导体衬底上、而
非形成在SOI衬底上。虽然可采用任何适当的半导体材料,但是就此
实施例而言,该半导体材料为硅材料,其中,本文所使用的「硅材料」
术语涵盖通常使用在半导体工业中的通常为单晶硅和相对纯的硅材
料、以及与其它组件(例如,锗、碳、及类似者)混合的硅。或者,该
半导体材料可为锗、砷化镓、或类似者。该半导体材料一开始可为n-
型或p-型硅,但通常是p-型,而该半导体材料接着以适当的方式掺杂,
以形成作用区域(active region)。该作用区域可使用于该产生的晶体
管装置的源极和漏极。

在图2所显示的状态中,该装置结构200包含至少一个在该半导
体晶圆202上的NMOS晶体管结构204、及至少一个在该半导体晶圆202
上的PMOS晶体管结构206。在其它实施例中,该装置结构200可只包
含NMOS晶体管结构、而没有包含PMOS晶体管结构。该NMOS晶体管结
构204包含栅极结构208,其是形成在半导体材料层210上方。类似地,
该PMOS晶体管结构206包含栅极结构212,其是形成在该半导体材料
层210上方。该NMOS晶体管结构204包含三个曝露的终端接点区域:
栅极接点区域214和两个源极/漏极接点区域216。同样地,该PMOS
晶体管结构206包含三个曝露的终点接点区域:栅极接点区域218和
两个源极/漏极接点区域220。将会充分了解到,该各种接点区域可形
成如硅化物材料。

在该晶体管结构204、206制作完成后,该工艺继续在该NMOS晶
体管结构204和该PMOS晶体管结构206上方形成光学反射材料层224。
图3绘示在形成该光学反射材料层224后的半导体装置结构200。该光
学反射材料224为一种材料或化合物,其具有的反射系数低于伸展应
力诱发材料(是形成在后续的工艺步骤中),其导致理想的反射性质。
就这方面而言,该光学反射材料224具有的光学性质和特性,使其得
以反射用来固化该伸展应力诱发材料的UV照射。依据特定的实施例,
该光学反射材料224的化合物可为、但不限定于:硅氧化物材料(例如,
二氧化硅(SiO2))、硅烷氧化物、四乙氧基硅烷(TEOS)、氟化的TEOS、
或类似物。虽然不是一直需要,但是此处所描述的范例实施例使用SiO2
作为该光学反射材料224。

实际上,该光学反射材料224可一致地沉积在该晶体管结构204、
206上方、并在该半导体材料210的上曝露表面上方,如图2所显示的。
在特定实施例中,该光学反射材料224为使用任何传统技术(例如、但
不限于化学气相沉积(CVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、或电浆增强
化学气相沉积(PECVD))所沉积的硅氧化物材料。尤其是,沉积非常薄
层的光学反射材料224,以确保该光学反射材料224不会减少由该伸展
应力诱发材料(其在后续的步骤中形成)所贡献的应力计量。理想上,
所沉积的该光学反射材料224最好尽可能地薄、同时维持其反射性质。
在特定实施例中,举例来说,该光学反射材料224沉积成厚度小于10
奈米,较佳小于5奈米。在其它实施例中,可忍受较大的厚度,而不
致于不利地影响由该上方的应力诱发材料所贡献的伸展计量。

该制作工艺继续在该光学反射材料224上方形成伸展应力诱发材
料层230(见图4)。该伸展应力诱发材料230可包含或实现成,例如,
TPEN材料,该TPEN材料通常是整个半导体工业所使用的。当TPEN作
为该伸展应力诱发材料230时,其是使用PECVD而一致地沉积在该光
学反射材料224上方。在典型的实作中,所沉积的该伸展应力诱发材
料层230的厚度是在大约10奈米至大约100奈米的范围内,尽管真正
的厚度在特定的实施例中可在此范围外。

该范例的制作工艺继续通过以高温(例如,摄氏500度)施加UV照
射来固化该伸展应力诱发材料层230。图5显示在UV固化步骤期间,
UV照射234如何穿透该伸展应力诱发材料230。一些该UV照射234直
接地照射并因此固化该伸展应力诱发材料230,而一些该UV照射则通
过从该光学反射材料层224反射以照射该伸展应力诱发材料230。该反
射材料224的光学性质使该UV照射234得以反射并且散射回到该伸展
应力诱发材料230,其使该UV固化更有效、并且使该伸展应力诱发材
料230的厚度整体更均匀。此外,不同反射角的反散射(backscattering)
是由表面「粗糙度」(roughness)和该光学反射材料224中的不完美来
加以调变。就这方面而言,该UV照射234在除了该理论的入射角以外
的其它角反射,导致分布的UV照射反射回该伸展应力诱发材料230。
因此,不同的反射角可从平坦表面(图5中的水平表面)、也可从该栅
极结构208、212的侧壁表面来加以达成。

在该伸展应力诱发材料230以此方式加以固化后,可实施任何数
目的已知工艺步骤,以完成该半导体装置结构200的制作。举例来说,
可实施传统的后端工艺,以创造导体接点插塞、互连层、及类似者。
然而,在特定实施例中,该制作工艺继续在该固化的伸展应力诱发材
料层230上方形成另一伸展应力诱发材料层250(见图6)。该第二伸展
应力诱发材料层250也可通过将其曝露于UV照射而施以UV固化,如
先前所述。该第二伸展应力诱发材料层250也可以此方式加以固化,
有或没有任何由反射的UV照射所引起的提高。实际上,该二伸展应力
诱发材料230、250的结合厚度可在此固化步骤期间,限制反射的UV
照射的计量。如果希望的话,可使用类似的方式施加额外的固化、或
未固化的应力诱发材料层。之后,使用传统的工艺步骤来完成该半导
体装置结构200的制作。

上述的范例工艺形成反射材料层,其在该UV固化步骤期间,是作
为UV照射的反射件。不同的实施例不需形成额外的材料层本身。反而
是,可对该半导体装置的一个或多个下方特征加工、修饰、或甚至转
换,以改变他们的反射性质。就这方面而言,图7绘示半导体装置结
构300在该制作工艺的中间阶段(其是接续于图2所绘示的阶段)的状
态。显示于图7的装置结构300的状态,是通过修饰该NMOS和PMOS
晶体管结构304、306的曝露的终端接点区域314、316、318、320的
光学反射性质,来加以达成。这些接点区域是以下述方式加以修饰:
创造NMOS晶体管结构304的光学反射区域330和PMOS晶体管结构306
的光学反射区域332。就这方面而言,可对该接点区域加工或甚至处理,
以改变他们的表面性质和特性,以使他们的反射系数低于该伸展应力
诱发材料(其将作为该伸展应力层)的反射系数。

在特定实施例中,通过氧化曝露的材料,以形成反射表面的方式
来修饰该接点区域314、316、318、320的光学反射性质。举例来说,
可通过将产生希望的氧化计量的含氧电浆引进该曝露的终端接点区域
314、316、318、320,以创造该光学反射区域330、332。之后,该半
导体装置结构300的制作可以针对先前实施例的所描述的方式继续。
因此,伸展应力诱发材料层340形成在该NMOS和PMOS晶体管结构304、
306上方(以及,尤其是在该光学反射区域330、332上方),并且该伸
展应力诱发材料层340通过施加UV照射344,来加以固化,如图8所
绘示的。一些该UV照射344直接地照射并因此固化该伸展应力诱发材
料层340,而一些该UV照射344则通过从该光学反射区域330、332
反射来照射该伸展应力诱区材料层340。该UV照射344的反射提高该
UV固化步骤,并因此增加该固化的应力诱发材料340中的均匀性。

虽然在先前详细的描述中已提出至少一个范例实施例,但应了解
的是,存在数量极为庞大的变化。也应体会到,本文所描述的一个范
例实施例或数个实施例并非意图以任何方式,限制该请求的标的的范
围、应用性、或组构。反而是,该先前的详细描述将提供本领域中熟
习技术者方便的地图,以实作该描述的一个实施例或数个实施例。应
了解到可对组件的功能和配置作各种的改变,而不致悖离权利要求所
定义的范围,其包含此专利申请案提出当时所已知的等效物或可预见
的等效物。

关 键 词:
提高 使用 反射 材料 伸展 应力 衬垫 紫外线 固化
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