太阳城集团

  • / 18
  • 下载费用:30 金币  

垂直式发光二极管及其制造方法.pdf

摘要
申请专利号:

CN201110281347.4

申请日:

2011.09.21

公开号:

太阳城集团CN102593277B

公开日:

2015.01.28

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20110921|||公开
IPC分类号: H01L33/00(2010.01)I 主分类号: H01L33/00
申请人: 铼钻科技股份有限公司
发明人: 宋健民; 甘明吉; 林逸樵; 胡绍中
地址: 中国台湾新竹县湖口乡
优先权: 2011.01.05 TW 100100357
专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
PDF完整版下载: PDF下载
法律状态
申请(专利)号:

太阳城集团CN201110281347.4

授权太阳城集团号:

102593277B||||||

法律状态太阳城集团日:

2015.01.28|||2012.09.19|||2012.07.18

法律状态类型:

授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

本发明提供一种垂直式发光二极管的制造方法,其包括下列步骤:提供一衬底;于衬底上形成一半导体层,该半导体层是具有以第II至VI族元素所构成的化合物;形成一金属反射层,使其与半导体层相互结合;形成至少一中间层及至少一类钻碳层;形成一复合材料层;移除衬底;以及形成一第一电极层及一第二电极层,其分别设置于半导体层及复合材料层的一侧;其中,至少一中间层及至少一类钻碳层是以叠层的方式相互堆叠于金属反射层的一侧。本发明亦提供一种依前述制造方法制得的垂直式发光二极管。

权利要求书

1.一种垂直式发光二极管的制造方法,其包括下列步骤:
提供一衬底;
于该衬底上形成一半导体层,该半导体层具有以第II至VI族元素所构
成的化合物;
形成一金属反射层,使其与该半导体层相互结合;
形成至少一中间层及至少一类钻碳层;
形成一复合材料层;
移除该衬底;以及
形成一第一电极层及一第二电极层,其分别设置于该半导体层及该复
合材料层的一侧;
其中,该至少一中间层及该至少一类钻碳层是以叠层的方式相互堆叠
于该金属反射层的一侧。
2.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该衬底
是为Al2O3、Si、SiC、GaAs、GaP、AlP、GaN、C、hBN或C的基板;或为
至少一阳离子为B、Al、Ga、In、Be、Mg的氮化物、磷化物或砷化物的基
板。
3.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该衬底
的移除步骤是由一激光使其与该半导体层剥离。
4.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该半导
体层、该金属反射层、该至少一中间层、及该至少一类钻碳层是以阴极电
弧、溅镀、蒸镀、电镀、无电电镀或涂布沉积形成。
5.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该半导
体层的组成是为Al2O3、Si、SiC、GaAs、GaP、AlP、GaN、C、hBN或C;
或为至少一阳离子为B、Al、Ga、In、Be、Mg的氮化物、磷化物或砷化物。
6.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该金属
反射层是至少一选自由Ag、Al、Ni、Co、Pd、Pt、Au、Zn、Sn、Sb、Pb、
Cu、CuAg、NiAg及前述金属合金所组成的群组。
7.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该金属
反射层的厚度为100-500nm。
8.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该中间
层是包括至少一选自由Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W及前述金属
的合金所组成的群组。
9.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该中间
层的厚度为50-500nm。
10.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该复
合材料层包括至少一金属及钻石所组成的复合材料,且该钻石于该复合材
料层中是以一单层、多层或随机分布的布钻排列。
11.如权利要求10所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该钻
石占该复合材料层总体积的25-60%。
12.如权利要求10所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该钻
石占该复合材料层总体积的30-50%。
13.如权利要求10所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该金
属是至少一选自由Cu、Ag、Co、Ni、W、Fe、Ti、Cr及B所组成的群组。
14.如权利要求10所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该钻
石为合成钻石磨粒。
15.如权利要求10所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该钻
石的粒径为1μm-1mm。
16.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该复
合材料层的厚度为100-500μm。
17.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该复
合材料层具有热膨胀系数为2-10ppm/℃。
18.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,还包
括有一将该复合材料层的表面拋光至Ra<1μm的步骤。
19.如权利要求1所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,还包
括有一透明类钻碳层形成于该半导体层的一侧。
20.如权利要求19所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该透
明类钻碳层是以等离子体化学气相沉积法形成。
21.如权利要求19所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该透
明类钻碳层包括有氢原子于其中。
22.如权利要求21所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,以该
透明类钻碳层全部计算,该氢原子是占15-40at%。
23.一种垂直式发光二极管的制造方法,其包括下列步骤:
提供一衬底;
于该衬底上形成一半导体层,该半导体层具有以第II至VI族元素所构
成的化合物;
形成一金属反射层,使其与该半导体层相互结合;
形成一复合材料层;
移除该衬底;以及
形成一第一电极层及一第二电极层,其分别设置于该半导体层及该复
合材料层的一侧。
24.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该复
合材料层是以Au或Au-Sn于300℃直接软焊接合至该金属反射层,或直接
以高温接合的方式结合该复合材料层及该金属反射层。
25.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该衬
底是为Al2O3、Si、SiC、GaAs、GaP、AlP、GaN、C、hBN或C的基板;或
为至少一阳离子为B、Al、Ga、In、Be、Mg的氮化物、磷化物或砷化物的
基板。
26.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该衬
底的移除步骤是由一激光使其与该半导体层剥离。
27.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该半
导体层及该金属反射层是以阴极电弧、溅镀、蒸镀、电镀、无电电镀或涂
布沉积形成。
28.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该半
导体层的组成是为Al2O3、Si、SiC、GaAs、GaP、AlP、GaN、C、hBN或C;
或为至少一阳离子为B、Al、Ga、In、Be、Mg的氮化物、磷化物或砷化物。
29.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该金
属反射层是至少一选自由Ag、Al、Ni、Co、Pd、Pt、Au、Zn、Sn、Sb、Pb、
Cu、CuAg、NiAg及前述金属合金所组成的群组。
30.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该金
属反射层的厚度为100-500nm。
31.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该复
合材料层包括至少一金属及钻石所组成的复合材料,且该钻石于该复合材
料层中是以一单层、多层或随机分布的布钻排列。
32.如权利要求31所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该钻
石占该复合材料层总体积的25-60%。
33.如权利要求31所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该钻
石占该复合材料层总体积的30-50%。
34.如权利要求31所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该金
属是至少一选自由Cu、Ag、Co、Ni、W、Fe、Ti、Cr及B所组成的群组。
35.如权利要求31所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该钻
石为合成钻石磨粒。
36.如权利要求31所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该钻
石的粒径为1μm-1mm。
37.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该复
合材料层的厚度为100-500μm。
38.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该复
合材料层具有热膨胀系数为2-10ppm/℃。
39.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,还包
括有一将该复合材料层的表面拋光至Ra<1μm的步骤。
40.如权利要求23所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,还包
括有一透明类钻碳层形成于该半导体层的一侧。
41.如权利要求40所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该透
明类钻碳层是以等离子体化学气相沉积法形成。
42.如权利要求41所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,该透
明类钻碳层包括有氢原子于其中。
43.如权利要求42所述的垂直式发光二极管的制造方法,其中,以该
透明类钻碳层全部计算,该氢原子占15-40at%。
44.一种垂直式发光二极管,其包括:
一半导体层,其具有以第II至VI族元素所构成的化合物;
一金属反射层,与该半导体层相互结合;
至少一中间层;
至少一类钻碳层;
一复合材料层;以及
一第一电极层及一第二电极层,其分别设置于该半导体层及该复合材
料层的一侧;
其中,该至少一中间层及该至少一类钻碳层是以叠层的方式相互堆叠
于该金属反射层的一侧。
45.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该半导体层的组
成为Al2O3、Si、SiC、GaAs、GaP、AlP、GaN、C、hBN或C;或为至少一
阳离子为B、Al、Ga、In、Be、Mg的氮化物、磷化物或砷化物。
46.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该金属反射层是
至少一选自由Ag、Al、Ni、Co、Pd、Pt、Au、Zn、Sn、Sb、Pb、Cu、CuAg、
NiAg及前述金属合金所组成的群组。
47.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该金属反射层的
厚度为100-500nm。
48.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该中间层包括至
少一选自由Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W及前述金属的合金所组
成的群组。
49.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该中间层的厚度
为50-500nm。
50.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该复合材料层包
括至少一金属及钻石所组成的复合材料,且该钻石于该复合材料层中是以
一单层、多层或随机分布的布钻排列。
51.如权利要求50所述的垂直式发光二极管,其中,该钻石占该复合
材料层总体积的25-60%。
52.如权利要求50所述的垂直式发光二极管,其中,该钻石占该复合
材料层总体积的30-50%。
53.如权利要求50所述的垂直式发光二极管,其中,该金属是至少一
选自由Cu、Ag、Co、Ni、W、Fe、Ti、Cr及BCu、Ag、Co、Ni、W、Fe、Ti、
Cr所组成的群组。
54.如权利要求50所述的垂直式发光二极管,其中,该钻石为合成钻
石磨粒。
55.如权利要求50所述的垂直式发光二极管,其中,该钻石的粒径为
1μm-1mm。
56.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该复合材料层的
厚度为100-500μm。
57.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该复合材料层具
有热膨胀系数为2-10ppm/℃。
58.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,该该复合材料层
的表面具有拋光至Ra<1μm。
59.如权利要求44所述的垂直式发光二极管,其中,还包括有一透明
类钻碳层于该半导体层的一侧。
60.如权利要求59所述的垂直式发光二极管,其中,该透明类钻碳层
包括有氢原子于其中。
61.如权利要求60所述的垂直式发光二极管,其中,以该透明类钻碳
层全部计算,该氢原子占15-40at%。
62.一种垂直式发光二极管,其包括:
一半导体层,其具有以第II至VI族元素所构成的化合物;
一金属反射层,与该半导体层相互结合;
一复合材料层;以及
一第一电极层及一第二电极层,其分别设置于该半导体层及该复合材
料层的一侧。
63.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,该复合材料层以
Au或Au-Sn于300℃直接软焊接合至该金属反射层,或直接以高温接合的
方式结合该复合材料层及该金属反射层。
64.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,该半导体层的组
成是为Al2O3、Si、SiC、GaAs、GaP、AlP、GaN、C、hBN或C;或为至少
一阳离子为B、Al、Ga、In、Be、Mg的氮化物、磷化物或砷化物。
65.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,该金属反射层是
至少一选自由Ag、Al、Ni、Co、Pd、Pt、Au、Zn、Sn、Sb、Pb、Cu、CuAg、
NiAg及前述金属合金所组成的群组。
66.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,该金属反射层的
厚度为100-500nm。
67.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,该复合材料层包
括至少一金属及钻石所组成的复合材料,且该钻石于该复合材料层中以一
单层、多层或随机分布的布钻排列。
68.如权利要求67所述的垂直式发光二极管,其中,该钻石占该复合
材料层总体积的25-60%。
69.如权利要求67所述的垂直式发光二极管,其中,该钻石占该复合
材料层总体积的30-50%。
70.如权利要求67所述的垂直式发光二极管,其中,该金属是至少一
选自由Cu、Ag、Co、Ni、W、Fe、Ti、Cr及BCu、Ag、Co、Ni、W、Fe、Ti、
Cr所组成的群组。
71.如权利要求67所述的垂直式发光二极管,其中,该钻石为合成钻
石磨粒。
72.如权利要求67所述的垂直式发光二极管,其中,该钻石的粒径为
1μm-1mm。
73.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,该复合材料层的
厚度为100-500μm。
74.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,该复合材料层具
有热膨胀系数为2-10ppm/℃。
75.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,该该复合材料层
的表面具有拋光至Ra<1μm。
76.如权利要求62所述的垂直式发光二极管,其中,还包括有一透明
类钻碳层于该半导体层的一侧。
77.如权利要求76所述的垂直式发光二极管,其中,该透明类钻碳层
包括有氢原子于其中。
78.如权利要求77所述的垂直式发光二极管,其中,以该透明类钻碳
层全部计算,该氢原子占15-40at%。

关 键 词:
垂直 发光二极管 及其 制造 方法
  专利查询网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
太阳城集团本文
本文标题:垂直式发光二极管及其制造方法.pdf
链接地址:http://zh228.com/p-6420908.html
太阳城集团我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服客服 - 联系我们

copyright@ 2017-2018 zhuanlichaxun.net网站版权所有
经营许可证编号:粤ICP备17046363号-1 
 


收起
展开
葡京赌场|welcome document.write ('');