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散热器及其制造方法.pdf

摘要
申请专利号:

CN201210107274.1

申请日:

2012.04.12

公开号:

CN102751249B

公开日:

2015.01.28

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 专利权的转移IPC(主分类):H01L 23/367登记生效日:20161202变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社丰田自动织机变更后权利人:昭和电工株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本爱知县刈谷市变更后权利人:日本东京都变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社|||授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/367申请日:20120412|||公开
IPC分类号: H01L23/367; H01L21/48 主分类号: H01L23/367
申请人: 株式会社丰田自动织机; 昭和电工株式会社
发明人: 岩田佳孝; 森昌吾; 平野智哉; 南和彦
地址: 日本爱知县刈谷市
优先权: 2011.04.18 JP 2011-092200; 2011.12.22 JP 2011-282072
专利代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏金霞;田军锋
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法律状态
申请(专利)号:

CN201210107274.1

授权太阳城集团号:

|||102751249B||||||

法律状态太阳城集团日:

2016.12.21|||2015.01.28|||2012.12.12|||2012.10.24

法律状态类型:

专利申请权、专利权的转移|||授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

后金属层(16,31)具有多个应力释放空间(17)。每个应力释放空间(17)形成为至少在后金属层(16,31)的前表面和后表面的其中一个处敞开。将后金属层(16,31)中的位于半导体装置(12)正下方的区域限定为正下方区域(A1),并且将正下方区域(A1)外侧的与正下方区域(A1)相对应并具有相同的尺寸的区域限定为对比区域(A21)。在正下方区域(A1)的范围中的应力释放空间(17)的体积小于形成在对比区域(A21)的范围中的应力释放空间(17)的体积。

权利要求书

1.一种散热器,所述散热器包括电路基片和散热装置,其中,
所述电路基片包括:
绝缘基片,所述绝缘基片形成为具有前表面和后表面;
前金属层,所述前金属层接合于所述绝缘基片的所述前表面,所述前
金属层形成为具有能够与半导体装置接合的前表面和接合于所述绝缘基
片的后表面;以及
后金属层,所述后金属层接合于所述绝缘基片的所述后表面,所述后
金属层形成为具有接合于所述绝缘基片的前表面和接合于所述散热装置
的后表面,
所述后金属层具有多个应力释放空间,每个应力释放空间形成为至少
在所述后金属层的所述前表面和所述后表面的其中一个处敞开,并且
当将所述后金属层中的位于所述半导体装置正下方的区域限定为正下
方区域、并且将所述正下方区域外侧的与该正下方区域相对应并具有与该
正下方区域相同的尺寸的区域限定为对比区域时,在所述正下方区域的范
围中的所述应力释放空间的体积小于形成在所述对比区域的范围中的所
述应力释放空间的体积。
2.根据权利要求1所述的散热器,其中,
在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间形成在所述正下方区
域的周边部分中、而不形成在所述正下方区域的中央部分中,
在所述对比区域的范围中的所述应力释放空间形成在所述对比区域的
周边部分和中央部分中,并且
使得在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的体积小于形成
在所述对比区域的范围中的所述应力释放空间的体积。
3.根据权利要求2所述的散热器,其中,
利用硬钎料将所述绝缘基片、所述后金属层和所述散热装置接合在一
起,
在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的至少一部分填充有
硬钎料,并且
使得在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的体积小于形成
在所述对比区域的范围中的所述应力释放空间的体积。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的散热器,其中,所述后金属层
是应力释放构件。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的散热器,其中,所述后金属层
包括:
第一后金属层,所述第一后金属层接合于所述散热装置;以及
第二后金属层,所述第二后金属层位于所述第一后金属层与所述绝缘
基片之间并且接合于所述第一后金属层和所述绝缘基片,
其中,所述应力释放空间形成在所述第一后金属层中。
6.一种用于制造具有电路基片和散热装置的散热器的方法,其中,
所述电路基片包括:
绝缘基片,所述绝缘基片具有前表面和后表面;
前金属层,所述前金属层接合于所述绝缘基片的所述前表面,所述前
金属层具有能够与半导体装置接合的前表面和接合于所述绝缘基片的后
表面;以及
后金属层,所述后金属层接合于所述绝缘基片的所述后表面,所述后
金属层具有接合于所述绝缘基片的前表面和接合于所述散热装置的后表
面,
所述后金属层具有多个应力释放空间,
当将所述后金属层中的位于所述半导体装置正下方的区域限定为正下
方区域、并且将所述正下方区域外侧的与该正下方区域相对应并具有与该
正下方区域相同的尺寸的区域限定为对比区域时,
所述制造方法包括:
准备硬钎料,其中,在所述正下方区域的范围外侧,所述硬钎料具有
与所述应力释放空间相对应的空间,并且在所述正下方区域的范围中,所
述硬钎料具有体积小于形成在所述对比区域中的空间的体积的另外的空
间;
将所述硬钎料布置在所述后金属层的接合界面处;
将所述硬钎料加热至高于熔化温度的温度以便熔化所述硬钎料;以及
将熔化的所述硬钎料冷却至低于所述熔化温度的温度以便使所述硬钎
料凝固。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其中,
准备所述硬钎料包括将所述硬钎料形成为使得:
所述硬钎料覆盖所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的至少
其中一个的部分开口或整个开口,并且
所述硬钎料不覆盖所述正下方区域的范围外侧的所述应力释放空间的
开口。
8.一种包括半导体装置、电路基片和散热装置的半导体设备,其中,
所述电路基片包括:
绝缘基片,所述绝缘基片形成为具有前表面和后表面;
前金属层,所述前金属层接合于所述绝缘基片的所述前表面,所述前
金属层形成为具有与所述半导体装置接合的前表面和接合于所述绝缘基
片的后表面;以及
后金属层,所述后金属层接合于所述绝缘基片的所述后表面,所述后
金属层形成为具有接合于所述绝缘基片的前表面和接合于所述散热装置
的后表面,
当将所述后金属层中的位于所述半导体装置正下方的区域限定为正下
方区域、并且将所述正下方区域外侧的与该正下方区域相对应并具有与该
正下方区域相同的尺寸的区域限定为对比区域时,
在所述后金属层的所述正下方区域的范围中,在所述正下方区域的周
边部分中形成应力释放空间,并且
在所述正下方区域的外侧并在所述后金属层上,在从所述正下方区域
的外周边边缘至所述后金属层的周边边缘的范围中形成其它的应力释放
空间。
9.根据权利要求8所述的半导体设备,其中,所述应力释放空间是通
孔,所述通孔在所述绝缘基片和所述后金属层的层压方向上延伸穿过所述
后金属层。

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散热器 及其 制造 方法
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