太阳城集团

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内藏电容基板模块.pdf

摘要
申请专利号:

太阳城集团CN201010623839.2

申请日:

2010.12.31

公开号:

太阳城集团CN102548210B

公开日:

2015.01.07

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||实质审查的生效号牌文件类型代码:1604号牌文件序号:101322515927IPC(主分类):H05K 1/16专利申请号:2010106238392申请日:20101231|||公开
IPC分类号: H05K1/16; H01L23/498; H01L23/64 主分类号: H05K1/16
申请人: 财团法人工业技术研究院
发明人: 徐健明; 李明林; 郑丞良; 蔡丽端
地址: 中国台湾新竹县
优先权: 2010.12.29 TW 099146695
专利代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
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法律状态
申请(专利)号:

太阳城集团CN201010623839.2

授权太阳城集团号:

102548210B||||||

法律状态太阳城集团日:

2015.01.07|||2012.09.05|||2012.07.04

法律状态类型:

授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

太阳城集团本发明公开一种内藏电容基板模块,包括有一基板、一金属基板以及一固态电解电容材料,其中固态电解电容材料形成于金属基板之上,以与基板形成一固态电解电容;此外,内藏电容基板模块更包括有一电极引出区,系由基板以及金属基板延伸形成,其中金属基板作为一第一电极,基板作为一第二电极;绝缘材料形成于基板与金属基板之间。根据本发明所公开的实施例的内藏电容基板模块,不但保留传统固态电容大电容值的优点,还可在内埋于印刷电路板之后再进行钻孔电镀与其它电路电性连接。

权利要求书

1: 一种内藏电容基板模块, 其特征在于, 包括有 : 一基板 ; 一金属基板 ; 一固态电解电容材料, 形成于该金属基板之上, 以与该基板形成一固态电解电容 ; 一电极引出区, 由该基板以及该金属基板延伸形成, 其中该金属基板作为一第一电极, 该基板作为一第二电极 ; 以及 一绝缘材料, 形成于该基板与该金属基板之间。
2: 如权利要求 1 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 还包括有 : 一第一导孔, 形成于该电极引出区, 以电性连接该固态电解电容的该金属基板 ; 以及 一第二导孔, 形成于该电极引出区, 以电性连接该基板。
3: 如权利要求 2 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该第一导孔穿过该基板之处 的周围形成有一绝缘材料, 该第二导孔穿过该金属基板之处的周围形成有一绝缘材料。
4: 如权利要求 1 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该固态电解电容材料包括有 一氧化铝层以及一导电高分子层。
5: 如权利要求 1 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该固态电解电容材料的未与 该金属基板接触的一侧与该基板之间透过一导电黏着层结合。
6: 如权利要求 5 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该导电黏着层为碳胶。
7: 如权利要求 1 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该固态电解电容的该金属基 板为一铝基板。
8: 如权利要求 1 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该基板的材料为铜箔或银。
9: 如权利要求 1 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该绝缘材料为树脂或介电材 料。
10: 一种内藏电容基板模块, 其特征在于, 包括有 : 一上基板 ; 一下基板 ; 一金属基板 ; 一层以上的固态电解电容材料, 形成于该上基板与该金属基板及该下基板与该金属基 板之间, 以分别与该上基板与该下基板形成一固态电解电容, 或者选择性地形成于该上基 板与该金属基板之间或该下基板与该金属基板之间, 以分别与该上基板或该下基板形成一 固态电解电容 ; 一电极引出区, 系由该上基板、 该下基板、 以及该金属基板延伸形成, 其中该金属基板 作为一第一电极, 该上基板与该下基板的至少其中之一作为一第二电极 ; 以及 一绝缘材料, 形成于该上基板与该金属基板之间以及形成于该下基板与该金属基板之 间。
11: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 还包括有 : 一第一导孔, 形成于该电极引出区, 以电性连接该金属基板 ; 以及 一第二导孔, 形成于该电极引出区, 以电性连接该上基板及 / 或该下基板。
12: 如权利要求 11 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该第一导孔穿过该上基板 与该下基板之处的周围形成有一绝缘材料, 该第二导孔穿过该金属基板之处的周围形成有 2 一绝缘材料。
13: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该固态电解电容材料包括 有一氧化铝层以及一导电高分子层。
14: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 当该一层以上的固态电解 电容材料形成于该上基板与该金属基板及该下基板与该金属基板之间时, 该一层以上的固 态电解电容材料其中的一层与该上基板之间透过一第一导电黏着层结合, 该一层以上的固 态电解电容材料其中的另一层与该下基板之间透过一第二导电黏着层结合。
15: 如权利要求 14 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该第一导电黏着层为碳胶, 该第二导电黏着层为碳胶。
16: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 当该一层以上的固态电解 电容材料选择性地形成于该上基板与该金属基板之间时, 该固态电解电容材料与该上基板 之间透过一第一导电黏着层结合, 当该固态电解电容材料选择性地形成于该下基板与该金 属基板之间时, 该固态电解电容材料与该下基板之间透过一第二导电黏着层结合。
17: 如权利要求 16 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该第一导电黏着层为碳胶, 该第二导电黏着层为碳胶。
18: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该固态电解电容的该金属 基板为一铝基板。
19: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该上基板与该下基板的材 料为铜箔或银。
20: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该绝缘材料为树脂或者介 电材料。
21: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 还包括有一电容形成于该 上基板的另一表面上。
22: 如权利要求 21 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该电容与该上基板之间还 包括有一结合层。
23: 如权利要求 21 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该电容包括有一第一金属 层、 一第二金属层以及一绝缘层形成于该第一金属层与该第二金属层之间。
24: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 还包括有一另一电容形成 于该下基板的另一表面上。
25: 如权利要求 24 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该另一电容与该下基板之 间还包括有一结合层。
26: 如权利要求 24 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该另一电容包括有一第一 金属层、 一第二金属层以及一绝缘层形成于该第一金属层与该第二金属层之间。
27: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该固态电解电容形成于该 内藏电容基板模块的中央。
28: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该固态电解电容形成有多 个。
29: 如权利要求 10 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 该内藏电容基板模块的上 下两侧表面均形成有绝缘层, 该内藏电容基板模块内藏于 IC 载板中, 该 IC 载板中形成有信 3 号层、 电源层以及接地层, 分别形成于绝缘层之中。
30: 如权利要求 29 所述的内藏电容基板模块, 其特征在于, 还包括集成电路以锡球透 过接垫与 IC 载板形成电性连接。

说明书


内藏电容基板模块

    技术领域 本发明太阳城集团一种内藏电容基板模块, 特别是一种利用固态电解电容的结构以提升 电容量的内藏电容基板模块。
     背景技术 随着集成电路 (Integrated Circuit, IC) 工艺技术不断地提升, 可携式电子产品 发展讲求轻、 薄、 短、 小、 高速、 低耗电率及多功能性, 随着信号传输速度增加, IC 承载基板必 须要传输更高频的信号, 同步切换所产生的相互干扰也日益严重。为了降低 IC 承载基板上 电源传输系统 (power deliverysystem) 的噪声, 目前高速 IC 载板皆是使用多颗表面黏着 (Surface MountedDevices, SMD) 型式电容来滤除噪声。这种用途的电容一般称之为去耦 合电容 (decoupling capacitor) 或是旁路电容 (bypass capacitor), 主要功能是将额定的 电能储存在电容器中, 在电能不足时可以适时补给电能, 以达到吸收突波 (glitch)、 降低射 频 (Radio Frequency, RF) 噪声及稳定电源的效果。
     然而为了提供更低、 更宽带的阻抗路径, 则必须于 IC 载板上摆置数十至数百颗的 SMD 型式电容, 藉由电容并联的方法来达到降低低频或高频阻抗的目的。未来 IC 信号速度 不断提升, 在 IC 载板有限的面积下, 摆放于 IC 载板表面的 SMD 型式电容所能降低的寄生电 感值势 (equivalent series inductance, ESL) 必将遇到瓶颈。
     然而, 相较于焊接在印刷电路板或 IC 载板表面的 SMD 型式电容, 在印刷电路板或 IC 载板中内藏电容的方式, 使得电容更靠近 IC 组件的电源接脚, 因此高频时基板内藏电容 的电源传输路径所产生的寄生电感值较 SMD 电容低。相较于摆置在印刷电路板表面的去耦 合电容组件, 基板内藏去耦合电容组件摆置位置更靠近集成电路, 基板内藏电容技术是目 前能将 IC 载板电源传输路径所产生的寄生电感值降低的方法之一。
     虽然基板内藏去耦合电容技术具有低寄生电感的优点, 但是受限于绝缘材料漏电 流的规范, 目前有机绝缘材料的介电常数 (dielectric constant) 仍很难高于 100 以上, 导 致在有限的基板厚度和面积内, 必须增加内藏平板电容的层数才能使其电容值高于 0.1uF 以上, 此举不但会降低工艺的合格率, 还会增加基板制作的成本。此外, 基板内藏电容技术 能提供的电容值亦无法达到目前 IC 载板数百 uF 电容值的需求。因此如何增加基板内藏电 容的电容值及增加有效的去耦合频宽, 是目前基板内藏电容技术亟需突破的难题。
     发明内容 有鉴于目前基板内藏电容技术无法大幅提升电容量的问题, 本发明公开一种使用 固态电解电容的内藏电容基板模块, 藉以解决现有技术的问题。
     根据本发明的实施例的一种内藏电容基板模块, 包括有一基板、 一金属基板以及 一固态电解电容材料, 其中固态电解电容材料形成于该金属基板之上, 以与该基板形成一 固态电解电容 ; 此外, 该模块更包括有一电极引出区, 由该基板以及该金属基板延伸形成, 其中该金属基板作为一第一电极, 该基板作为一第二电极 ; 绝缘材料形成于该基板与该金
     属基板之间。
     根据本发明的实施例的一种内藏电容基板模块, 包括有一上基板、 一下基板、 一金 属基板与一层以上的固态电解电容材料, 其中一层以上的固态电解电容材料, 形成于该上 基板与该金属基板及该下基板与该金属基板之间, 以分别与该上基板与该下基板形成一固 态电解电容, 或者选择性地形成于该上基板与该金属基板之间或该下基板与该金属基板之 间, 以分别与该上基板或该下基板形成一固态电解电容 ; 此外, 该模块更包括有一电极引出 区, 由该上基板、 该下基板、 以及该金属基板延伸形成, 其中该金属基板作为一第一电极, 该 上基板与该下基板的至少其中之一作为一第二电极 ; 绝缘材料形成于该上基板与该金属基 板之间以及形成于该下基板与该金属基板之间。
     根据本发明所公开的实施例的内藏电容基板模块, 不但保留传统固态电容大电容 值的优点, 还可在内埋于印刷电路板之后再进行钻孔电镀与其它电路电性连接。
     根据本发明所公开的实施例, 可在印刷电路板中可提供电路超过 100uF 以上的电 容值。 此外, 本发明所公开的实施例可并联超薄有机介电材料平板电容, 更可在印刷电路板 中可提供电路数十 nF 至数百 uF 的电容值范围, 具有可同时抑制低频带和高频带的电源噪 声的功效。
     以上的太阳城集团本发明内容的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本发明 的精神与原理, 并对本发明的专利保护范围做进一步的解释。 附图说明
     图 1 为本发明所公开的内藏电容基板模块的一实施例的结构示意图 ; 图 2A 以及图 2B 为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意 图 3A 以及图 3B 为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意 图 4A 以及图 4B 为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意 图 5 为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图 ; 图 6 为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图。 其中, 附图标记 : 100 内藏电容基板模块 110 电极引出区 120 固态电解电容材料 121 金属基板 122 氧化铝层 123 导电黏着层 124 导电高分子层 125 第一导电黏着层 127 第二导电黏着层 130 固态电解电容6图;
     图;
     图;
     CN 102548210 A
     说明书3/7 页140 基板 142 上基板 144 下基板 146 绝缘材料 148 绝缘材料 152 第一导孔 153 绝缘材料 154 第二导孔 155 绝缘材料 156 第三导孔 157 绝缘材料 158 第四导孔 159 绝缘材料 162 绝缘层 164 绝缘层 162-1、 162-2、 162-3、 164-1、 164-2、 164-3 绝缘层 166 第一导孔 168 第二导孔 172 175 176 182 184 186 210 211 212 213 220 221 222 223 232 234 信号层 电源层 接地层 集成电路 锡球 接垫 平板电容 第一金属层 第二金属层 绝缘层 平板电容 第一金属层 第二金属层 绝缘层 结合层 结合层具体实施方式
     以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点, 其内容足以使任何本领 域的技术人员了解本发明的技术内容并据以实施, 且根据本说明书所公开的内容、 权利要 求保护范围及附图, 任何本领域的技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下 的实施例进一步详细说明本发明的观点, 但非以任何观点限制本发明的范畴。
     特别说明的是, 以下实施例的图中绘示的每一层厚度与尺寸以及各层之间的相对 比例仅为示例, 本领域的技术人员可知其并非实际的尺寸而可依实际需要进行调整。 然而,本发明可以众多不同形式实施, 而不应将其视为仅限于本文所提及的实施例。在本发明的 各个附图中, 为清晰起见, 可放大及 / 或简化层及区的大小及相对大小。应了解, 当称一组 件或层 “在” 另一组件或层 “上” 、 “连接至” 或 “耦接至” 另一组件或层时, 该组件或层可直接 在另一组件或层上或可能存在中间组件或层。 此外, 即便以下提及多种实施例, 但在各个附 图中, 相同组件利用相同的参考编号来表示。
     请参考图 1, 为本发明所公开的内藏电容基板模块的一实施例的结构示意图。如 图所示, 内藏电容基板模块 100 包括一固态电解电容材料 120、 一金属基板 121 以及一基板 140, 固态电解电容材料 120、 金属基板 121 的一部份以及基板 140 的一部分形成一固态电解 电容 130。金属基板 121 的另一部份与基板 140 的另一部份延伸形成有一电极引出区 110。 其余区域则以绝缘材料 146 填充。绝缘材料 146 可使用但并非限定树脂或者介电材料。
     固态电解电容材料 120 形成于金属基板 121 的一侧。固态电解电容材料 120 可 以是但并非限定是氧化铝层 122、 导电高分子 (PEDOT) 层 124。由图可知导电高分子层 124 形成于氧化铝层 122 之上, 导电高分子层 124 的材料可以是但并非限定是聚二氧乙烯噻吩 (PEDOT)。金属基板 121 通常是但并非限定是铝基板。
     固态电解电容材料 120 的一侧与金属基板 121 接触, 而固态电解电容材料 120 的 另一侧与基板 140 之间透过导电黏着层 123 结合。在一实施例中, 导电黏着层 123 可使用 但并非限定碳胶或其均等物。基板 140 的材料可使用但并非限定铜箔或银。 图 1 所示的实施例, 在形成固态电解电容 130 的区域外再形成一电极引出区 110, 在此一电极引出区 110 中, 由基板 140 以及固态电解电容 130 的金属基板 121 延伸形成。 在 一大面积的金属基板 ( 固态电解电容 130 的金属基板 121) 与基板 140 之间的一区域形成 一固态电解电容, 其余区域则在金属基板 121 与基板 140 间以绝缘材料 146 填充。固态电 解电容 130 的金属基板 121 的水平方向的面积大于固态电解电容 130 本身的水平方向的面 积。由于大面积的金属基板与基板的结构, 亦即延伸形成的电极引出区 110, 因此可以直接 在基板结构上进行钻孔或电镀, 而不需要破坏电解电容的结构, 使得内藏固态电解电容基 板模块可与其它表层或内层电路电性连接。
     例如, 透过第一导孔 (via)152 连接金属基板 121, 第二导孔 (via)154 连接基板 140, 使内藏固态电解电容基板模块与外部电路电性连接。此时, 其中金属基板 121 作为一 第一电极, 基板 140 作为一第二电极。而第一电极与第二电极的正负极性互为相反。
     在此实施例中, 第一导孔 152 与第二导孔 154 皆穿过整个模块, 但因为第一导孔 152 连接金属基板 121, 第二导孔 154 连接基板 140, 因此, 第一导孔 152 必须要与基板 140 绝缘, 第二导孔 154 必须要与金属基板 121 绝缘。故如图所示, 第一导孔 152 穿过基板 140 之处的周围形成有绝缘材料 153, 第二导孔 154 穿过金属基板 121 之处的周围也形成有绝缘 材料 155。
     请参考图 2A 与图 2B, 为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构 示意图, 图 2A 为侧视图, 图 2B 为上视图。 如图所示, 内藏电容基板模块 100 包括两层固态电 解电容材料 120、 一金属基板 121 以及上基板 142 与下基板 144, 两层固态电解电容材料 120 其中的一层与金属基板 121 的一部份以及上基板 142 的一部分形成一固态电解电容 130, 同 样地, 两层固态电解电容材料 120 其中的另一层与金属基板 121 的一部份以及下基板 144 的一部分也形成一固态电解电容 130。金属基板 121 的另一部份与上基板 142 以及下基板
     144 的另一部份延伸形成有一电极引出区 110。在此一实施例中, 金属基板 121 的两表面均 形成有固态电解电容材料 120, 亦即在上基板 142 与金属基板 121 之间以及在下基板 144 与 金属基板 121 之间均形成有固态电解电容材料。在另一实施例中, 亦可选择性地形成一固 态电解电容即可, 亦即形成于上基板 142 与金属基板 121 之间或形成于下基板 144 与金属 基板 121 之间。
     两层固态电解电容材料 120 其中的一层未与金属基板 121 结合的一侧与上基板 142 之间透过第一导电黏着层 125 结合, 两层固态电解电容材料 120 其中的另一层与下基 板 144 之间透过第二导电黏着层 127 结合。在一实施例中, 第一导电黏着层 125 与 / 或第 二导电黏着层 127 可使用但并非限定碳胶或其均等物。上基板 142 与下基板 144 可使用但 并非限定铜箔基板或银基板。
     两层固态电解电容材料 120 则是由但并非限定由氧化铝层 122、 以及导电高分子 (PEDOT) 层 124 组成。两层氧化铝层 122 分别形成于金属基板 121 的两表面, 两层导电高分 子层 124 则分别形成于两层氧化铝层 122 之上。金属基板 121 与上基板 142 之间以及金属 基板 121 与下基板 144 之间则形成有绝缘材料 146、 148, 绝缘材料 146、 148 可使用但并非限 定树脂或者介电材料。 图 2A 所示的实施例, 在形成固态电解电容 130 的区域外再形成一电极引出区 110, 在此一电极引出区 110 中, 由上基板 142、 下基板 144、 以及固态电解电容材料 120 与金属基 板 121 延伸形成金属基板 121 与上基板 142 之间以及金属基板 121 与下基板 144 之间则形 成有绝缘材料 146、 148。在一大面积的金属基板 121 与上基板 142 之间以及该大面积的金 属基板 121 与下基板 144 之间的一区域形成一固态电解电容, 其余区域则在金属基板 121 与上基板 140 间及金属基板 121 与下基板 144 间以绝缘材料 146、 148 填充。固态电解电容 130 的金属基板 121 的水平方向的面积大于固态电解电容 130 本身的水平方向的面积, 由于 大面积的金属基板的结构, 亦即延伸形成的电极引出区 110, 使得可以直接在基板结构上进 行钻孔或电镀, 而不需要破坏电解电容的结构, 使得内藏固态电解电容基板模块可与其它 表层或内层电路电性连接。
     例如, 透过第一导孔 (via)152 连接金属基板 121, 第二导孔 (via)154 连接上基板 142 与下基板 144, 其位置如图 2B 所示, 使内藏固态电解电容基板模块与外部电路电性连 接, 此时, 其中金属基板 121 作为一第一电极, 上基板 142 与下基板 144 的至少其中之一作 为一第一电极, 而第一电极与第二电极的正负极性互为相反。虽然此处第二导孔 154 连接 上基板 142 与下基板 144, 但当仅形成有一层固态电解电容时, 第二导孔 154 亦可仅连接上 基板 142 与下基板 144 其中之一。
     在此实施例中, 第一导孔 152 与第二导孔 154 皆穿过整个模块, 但因为第一导孔 152 连接金属基板 121, 第二导孔 154 连接上基板 142 与下基板 144, 因此, 第一导孔 152 必 须要与上基板 142 与下基板 144 绝缘, 第二导孔 154 必须要与金属基板 121 绝缘。故如图 所示, 第一导孔 152 穿过上基板 142 与下基板 144 之处的周围形成有绝缘材料 153, 第二导 孔 154 穿过金属基板 121 之处的周围也形成有绝缘材料 155。
     为了提升 IC 载板内藏平板电容的电容值, 前述以及后面将提及的实施例所公开 的内藏固态电解电容基板模块可整合于印刷电路板中。 与传统固态电容器不同的是此结构 的固态电解电容模块中的金属基板 121 和基板 140( 图 1 的实施例 ) 的面积或者金属基板
     121 和上基板 142 与下基板 144( 图 2A 的实施例 ) 的面积 ( 亦即电极引出区 ) 比真正有电 容感应电荷产生的区域 ( 亦即固态电解电容 130, 如图 2B 所示的斜线区域 ) 大。此结构的 优点是当固态电解电容基板模块以印刷电路板工艺埋入或压合在电路板中后, 斜线区域以 外的基板面积皆可以藉由钻孔或电镀, 使得内藏固态电解电容基板模块可与其它表层或内 层电路电性连接, 提供大电容于电路中使用。 而在现有技术中, 则是将导孔形成于固态电解 电容当中方能使电容与外部组件相连接。
     从图 2A 可以看出来, 内藏电容基板模块 100 中的固态电解电容为双层。当然亦可 根据实际的设计需求选择性地设置一层即可, 为当选择一层时, 仍然透过导电黏着层与上 基板 142 或与下基板 144 形成电性连接关系。而当选择其中一层时可仅使用上基板 142 与 下基板 144 的至少其中之一作为电极。
     从图 2B 可以看出来, 固态电解电容设置于内藏电容基板模块 100 四个角落其中之 一, 第一导孔 152 与第二导孔 154 的位置大致上设置于内藏电容基板模块 100 的中央, 亦即 电极引出区 110。但此等固态电解电容的设置位置与第一导孔 152 与第二导孔 154 的设置 位置并非绝对, 当可依实际电路设计或者系统需求而变更。例如图 3A 与图 3B 所示的另一 实施例, 其在内藏电容基板模块 100 的四个角落皆设置有固态电解电容 130, 其余部份则为 电极引出区 110。又亦如图 4A 与图 4B 所示的另一实施例, 其将固态电解电容 130 设置于 内藏电容基板模块 100 的中央, 其余部份则为电极引出区 110。第一导孔 152 与第二导孔 154 设置于固态电解电容 130 的一侧, 此外由图中可知, 可设计有第三导孔 156 连接金属基 板 121, 第四导孔 158 连接上基板 142 与下基板 144, 其中第三导孔 156 可电性连接至电源, 第四导孔 158 则电性连接至接地端。如图 4A 所示, 第三导孔 156 穿过上基板 142 与下基板 144 之处的周围形成有绝缘材料 157, 第四导孔 158 穿过金属基板 121 之处的周围也形成有 绝缘材料 159。
     请参考图 5, 为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图。 如图所示, 其由内藏电容基板模块 100 与平板电容 210、 220 并联组成。平板电容 210 形成 于内藏电容基板模块 100 的一表面, 平板电容 220 形成于内藏电容基板模块 100 的另一表 面。平板电容 210 与内藏电容基板模块 100 之间则藉由一结合层 232 结合。平板电容 220 与内藏电容基板模块 100 之间同样地则藉由另一结合层 234 结合, 结合层由绝缘材料所组 成。平板电容 210 包括第一金属层 211 与第二金属层 212、 绝缘层 213, 第一金属层 211 与 第二金属层 212 之间形成有一绝缘层 213。平板电容 220 包括第一金属层 221 与第二金属 层 222、 绝缘层 223, 第一金属层 221 与第二金属层 222 之间形成有一绝缘层 223。第一导孔 (via)152 与第二导孔 (via)154 形成于电极引出区 110。第一导孔 152 连接固态电解电容 的金属基板 121、 平板电容 210 的第一金属层 211、 以及平板电容 220 的第一金属层 221, 第 二导孔 154 连接内藏电容基板模块 100 的上基板 142 与下基板 144、 平板电容 210 的第二金 属层 212、 以及平板电容 220 的第二金属层 222。透过第一导孔 152 与第二导孔 154 的设置 与连接关系的设计, 以将内藏电容基板模块 100 与平板电容 210、 220 形成并联连接的电性 关系。
     在此实施例中, 由于第一导孔与第二导孔极性不同, 而第一导孔 152 连接固态电 解电容的金属基板 121、 平板电容 210 的第一金属层 211、 以及平板电容 220 的第一金属层 221, 因此, 第二导孔 154 必须要与金属基板 121、 第一金属层 211 及第一金属层 221 这些金属层电性绝缘。同样地第二导孔 154 连接内藏电容基板模块 100 的上基板 142 与下基板 144、 平板电容 210 的第二金属层 212、 以及平板电容 220 的第二金属层 222, 第一导孔 152 也必须要与 142、 144、 212 及 222 这些金属层电性绝缘。故如图所示, 第一导孔 152 穿过内 藏电容基板模块 100 的上基板 142 与下基板 144、 平板电容 210 的第二金属层 212、 以及平 板电容 220 的第二金属层 222 之处的周围形成有绝缘材料 153, 第二导孔 154 穿过固态电 解电容的金属基板 121、 平板电容 210 的第一金属层 211、 以及平板电容 220 的第一金属层 221 之处的周围也形成有绝缘材料 155。
     从图 5 中可以看出来, 除了内藏电容基板模块 100 中的固态电解电容外, 还有两组 的平板电容, 使得固态电解电容基板模块同时可提供多个 nF 至数百 uF 的电容值。图 5 的 实施例的电容模块可同时抑制高频和低频噪声。当然, 内藏电容基板模块 100 中的固态电 解电容的数量、 平板电容的数量以及第一导孔与第二导孔的位置设置并非绝对, 当可依实 际电路设计或者系统需求而变更。亦即, 平板电容也仅可设置一层, 当设置一层时, 第一导 孔 152 与第二导孔 154 的周围的绝缘层的设置也对应调整。
     而在其它的实施例中, 平板电容的绝缘材料也可采用高介电常数或者由喷墨印刷 (Ink jet) 制作而成。 图 6 为图 5 所示的内藏电容基板模块的应用。如图 6 所示, IC 载板中形成有一 内藏电容基板模块 100, 内藏电容基板模块 100 的上下两侧表面均形成有绝缘层 162-1、 162-2、 162-3、 164-1、 164-2、 164-3, 由此可以看出将内藏电容基板模块内藏于 IC 载板中 的情形。IC 载板中亦形成有信号层 172、 电源层 175 以及接地层 176, 分别形成于绝缘层 162-1、 162-2、 162-3、 164-1、 164-2、 164-3 之中。 从程序上来说, 在内藏电容基板模块 100 的 上下两侧表面依序形成绝缘层 162-1 与 164-1、 电源层 175 与接地层 176、 绝缘层 162-2 与 164-2、 信号层 172、 以及绝缘层 162-3 与 164-3。虽然此处以统称方式命名绝缘层 162-1、 162-2、 162-3、 164-1、 164-2、 164-3, 但本领域的技术人员可知绝缘层 162-1、 162-2、 162-3、 164-1、 164-2、 164-3 以及信号层 172、 电源层 175 以及接地层 176 以一层一层的方式形成。 集成电路 182 以锡球 (solder bal l)184 透过接垫 186 与 IC 载板形成电性连接, 亦即集成 电路 182 的其中的一锡球与 IC 载板的接地层 176 形成电性连接, 其中的另一锡球与 IC 载 板的电源层 175 形成电性连接。IC 载板中的信号层 172 则用以传递信号。同样地, 第一导 孔 166 连接固态电解电容的金属基板 121 以及 IC 载板中的电源层 175, 第二导孔 168 连接 内藏电容基板模块 100 的上基板 142 与下基板 144 以及 IC 载板中的接地层 176。透过此一 架构, 提供 IC 载板表面集成电路所需求的电容值。
     与前述实施例类似, 第一导孔 166 穿过上基板 142 与下基板 144 之处的周围形成 有绝缘材料 153, 第二导孔 168 穿过金属基板 121 之处的周围也形成有绝缘材料 155。
     本发明提出一大面积的高电容值内藏电容基板模块, 此固态电容模块可内藏于印 刷电路板中, 还可与有机基板内藏平板电容并联, 此电容模块可提供多个 nF ~数百 uF 的电 容值, 以解决目前印刷电路板内藏平板电容器的电容值无法超过 uF 以上的问题。此基板内 藏电容模块可应用在印刷电路板、 芯片承载基板中, 提供一个大电容值、 宽带且低阻抗值的 去耦合电容或 bypass 电容, 达到稳定集成电路电源系统的目的。
    

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