太阳城集团

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有机发光装置.pdf

摘要
申请专利号:

CN201010506954.1

申请日:

2010.10.11

公开号:

太阳城集团CN102044633B

公开日:

2015.01.07

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||著录事项变更IPC(主分类):H01L 51/50变更事项:申请人变更前:三星移动显示器株式会社变更后:三星显示有限公司变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 51/50申请日:20101011|||公开
IPC分类号: H01L51/50; H01L51/52 主分类号: H01L51/50
申请人: 三星显示有限公司
发明人: 金怠植; 金东宪; 李宽熙; 田炳勋
地址: 韩国京畿道
优先权: 2009.10.12 KR 10-2009-0096820
专利代理机构: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 陈万青;王珍仙
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法律状态
申请(专利)号:

CN201010506954.1

授权太阳城集团号:

太阳城集团102044633B|||||||||

法律状态太阳城集团日:

太阳城集团2015.01.07|||2012.11.07|||2012.10.10|||2011.05.04

法律状态类型:

太阳城集团授权|||著录事项变更|||实质审查的生效|||公开

摘要

本发明公开了一种有机发光装置,所述有机发光装置包括基板、在所述基板上的第一电极、第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层、以及在所述第一电极和所述有机层之间的含碳质材料层,其中所述第一电极包括按以下顺序依次堆叠在所述基板上的铝(Al)类反射层和透明导电层,所述Al类反射层包括第一元素和镍(Ni),且所述第一元素包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)中的至少一种。

权利要求书

1: 一种有机发光装置, 包括 : 基板 ; 在所述基板上的第一电极 ; 第二电极 ; 在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层 ; 以及 在所述第一电极和所述有机层之间的含碳质材料层, 其中, 所述第一电极包括按以下顺序依次堆叠在所述基板上的铝类反射层和透明导电 层, 所述铝类反射层包括第一元素和镍, 且所述第一元素包括镧、 铈、 镨、 钷、 钐、 铕、 钆、 铽、 镝、 钬、 铒、 铥、 镱和镥中的至少一种。
2: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 其中所述铝类反射层包括 AlxNi 相, x 为 2.5 至
3: 5。 3. 如权利要求 2 所述的有机发光装置, 其中所述 AlxNi 相与所述透明导电层接触。
4: 如权利要求 2 所述的有机发光装置, 其中 x 为 3。
5: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 进一步包括在所述铝类反射层面对所述透明导 电层的表面上的富镍氧化物层。
6: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 其中镍在所述铝类反射层中的含量为 0.6wt% 至 5wt%。
7: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 其中所述第一元素为镧。
8: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 其中所述第一元素在所述铝类反射层中的含量 为 0.1wt%至 3wt%。
9: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 其中 : 所述铝类反射层包括镧、 镍和铝, 镧在所述铝类反射层中的含量为 0.1wt%至 3wt%, 且 镍在所述铝类反射层中的含量为 0.6wt%至 5wt%。
10: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 其中所述透明导电层包括氧化铟锡或二氧化 锡。
11: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 其中所述含碳质材料层包括碳质材料, 所述碳 质材料包括富勒烯类化合物、 含金属的富勒烯类复合物、 碳纳米管、 碳纤维、 碳黑、 石墨、 卡 宾、 MgC60、 CaC60 和 SrC60 中的至少一种。
12: 如权利要求 11 所述的有机发光装置, 其中所述碳质材料包括 C60。
13: 如权利要求 1 所述的有机发光装置, 其中所述第一电极进一步包括含第二元素的 氧化锌层, 在所述含第二元素的氧化锌层中的所述第二元素包括铝、 铟、 镓、 锗、 钆、 锆、 钼和 镍中的至少一种。
14: 如权利要求 13 所述的有机发光装置, 其中所述第二元素包括铝。
15: 如权利要求 13 所述的有机发光装置, 其中包括所述第一元素和镍的所述铝类反射 层、 所述透明导电层和所述含第二元素的氧化锌层按以下顺序依次堆叠在所述基板上。
16: 如权利要求 13 所述的有机发光装置, 其中基于 100 重量份的所述含第二元素的氧 化锌层, 所述第二元素在所述含第二元素的氧化锌层中的含量为 0.5 至 10 重量份。

说明书


有机发光装置

    【技术领域】
     本发明的各实施方式涉及有机发光装置。背景技术 作为自发光装置的有机发光装置 (OLED) 具有以下优点, 例如宽视角、 优异的对比 度、 快速响应、 高亮度、 优异的驱动电压特性和提供多色彩图像的能力。
     常规 OLED 具有包括例如基板、 以及依次堆叠在基板上的阳极、 空穴传输层 (HTL)、 发光层 (EML)、 电子传输层 (ETL) 和阴极的结构。这里, HTL、 EML 和 ETL 可为由有机化合物 形成的有机薄膜。
     具有上述结构的 OLED 的工作原理如下。
     当对阳极和阴极施加电压时, 由阳极注入的空穴通过 HTL 向 EML 移动, 由阴极注入 的电子通过 ETL 向 EML 移动。空穴和电子在 EML 中再结合产生激子。当激子从激发态降至 基态时发光。
     发明内容 本发明的各实施方式涉及一种有机发光装置, 所述有机发光装置相对于现有技术 呈现出优势。
     本发明实施方式的特征是提供具有优异的效率和功耗特性的有机发光装置 (OLED)。
     本发明实施方式的另一特征是提供具有优异的图像质量的有机发光装置 (OLED)。
     以上和其它特征及优点的至少一个可通过提供有机发光装置来实现, 所述有机发 光装置包括基板、 在所述基板上的第一电极、 第二电极、 在所述第一电极和所述第二电极之 间的有机层、 以及在所述第一电极和所述有机层之间的含碳质材料层, 其中所述第一电极 包括按以下顺序依次堆叠在所述基板上的铝 (Al) 类反射层和透明导电层, 所述 Al 类反 射层包括第一元素和镍 (Ni), 且所述第一元素包括镧 (La)、 铈 (Ce)、 镨 (Pr)、 钷 (Pm)、 钐 (Sm)、 铕 (Eu)、 钆 (Gd)、 铽 (Tb)、 镝 (Dy)、 钬 (Ho)、 铒 (Er)、 铥 (Tm)、 镱 (Yb) 和镥 (Lu) 中的 至少一种。
     所述 Al 类反射层可包括 AlxNi 相, x 为约 2.5 至约 3.5。
     所述 AlxNi 相可与所述透明导电层接触。
     X 可为约 3。
     所述有机发光装置可进一步包括在所述 Al 类反射层面对所述透明导电层的表面 上的富镍 (Ni) 氧化物层。
     镍 (Ni) 在所述 Al 类反射层中的含量可为约 0.6wt%至约 5wt%。
     所述第一元素可为镧 (La)。
     所述第一元素在所述 Al 类反射层中的含量可为约 0.1wt%至约 3wt%。
     所述 Al 类反射层可包括镧 (La)、 镍 (Ni) 和铝 (Al), 镧 (La) 在所述 Al- 类反射
     层中的含量可为约 0.1wt %至约 3wt %, 且镍 (Ni) 在所述 Al- 类反射层中的含量可为约 0.6wt%至约 5wt%。
     所述透明导电层可包括氧化铟锡 (ITO) 或氧化锡 (SnO2)。
     所述含碳质材料层可包括碳质材料, 所述碳质材料包括富勒烯类化合物、 含金属 的富勒烯类复合物、 碳纳米管、 碳纤维、 碳黑、 石墨、 卡宾 (carbine)、 MgC60、 CaC60 和 SrC60 中 的至少一种。
     所述碳质材料可包括 C60。
     所述第一电极可进一步包括含第二元素的氧化锌层, 含所述第二元素的氧化锌层 中的所述第二元素包括铝 (Al)、 铟 (In)、 镓 (Ga)、 锗 (Ge)、 钆 (Gd)、 锆 (Zr)、 钼 (Mo) 和镍 (Ni) 中的至少一种。
     所述第二元素可包括铝 (Al)。
     包括所述第一元素和镍 (Ni) 的所述 Al 类反射层、 所述透明导电层和所述含第二 元素的氧化锌层可按以下顺序依次堆叠在所述基板上。
     基于 100 重量份的所述含第二元素的氧化锌层, 所述第二元素在所述含第二元素 的氧化锌层中的含量可为约 0.5 至约 10 重量份。 附图说明 通过参照附图详细说明示例性实施方式, 以上和其它特征及优点将对本领域技术 人员变得更为显而易见, 其中 :
     图 1 示出了根据实施方式的有机发光装置 (OLED) 结构的截面图 ;
     图 2A 示出了根据实施方式的铝 (Al) 类反射层的截面图的透射电子显微镜 (TEM) 照片 ;
     图 2B 示出了图 2A 中所示的铝 (Al) 类反射膜的扫描透射电子显微镜 (STEM)- 高 角环形暗场 (HAADF) 照片 ;
     图 2C 示出了对图 2A 中异常生长的晶体的 X- 射线能量色散谱的结果 ;
     图 3 示出了根据另一实施方式的第一电极截面的 TEM 照片 ; 以及
     图 4 示出了根据又一实施方式的 OLED 结构的截面图。
     具体实施方式
     在 此 通 过 引 用 合 并 2009 年 10 月 12 日 在 韩 国 申 请 的 韩 国 专 利 申 请 第 10-2009-0096820 号、 题目为 “有机发光装置” 的全部内容。
     以下将参照附图更完整地说明示例性实施方式 ; 然而, 它们可以不同形式实施, 且 不应理解为受文中所列实施方式的限制。 更确切地说, 提供这些实施方式, 使得该公开将彻 底而完整, 并将完整地将本发明的范围传达给本领域技术人员。
     在附图中, 为了说明的清楚性, 层与区域的尺寸可被放大。 还应理解的的是当某一 层或元件被称作 “在另一层或基板上” 时, 它可直接在该另一层或基板上, 或者也可存在插 入层。此外, 还应理解的是当某一层被称作 “在两个层之间” 时, 它可以是该两个层之间唯 一层, 或者也可存在一个或多个插入层。文中相同的附图标记表示相同元件。
     图 1 示出了根据实施方式的有机发光装置 (OLED)10 的截面示意图。参照图 1, 根据本实施方式的 OLED10 可包括按以下顺序依次堆叠的基板 1、 第一电极 5、 含碳质材料层 6、 有机层 7 和第二电极 9。第一电极 5 可包括依次堆叠在基板 1 上的铝 (Al) 类反射层 5a 和 透明导电层 5b。Al 类反射层 5a 可包括 Al、 第一元素和镍 (Ni)。
     基板, 可以是适用于有机发光装置的任意基板, 可为具有优异的机械强度、 热稳定 性、 透明度、 表面平整度、 易处理性和不透水性的玻璃基板或透明塑料基板。
     在 Al 类反射层 5a 中的第一元素可包括如镧 (La)、 铈 (Ce)、 镨 (Pr)、 钷 (Pm)、 钐 (Sm)、 铕 (Eu)、 钆 (Gd)、 铽 (Tb)、 镝 (Dy)、 钬 (Ho)、 铒 (Er)、 铥 (Tm)、 镱 (Yb) 和镥 (Lu) 中的 至少一种。
     Al 类反射层 5a 可具有高反射性和 / 或反射率, 由此可提高 OLED 的发光效率。此 外, Al 类反射层 5a 可由于 Al 的固有特性而具有高的热稳定性。因此, 即使暴露在高温制 造工艺中, Al 类反射层 5a 可具有优异的耐受性。此外, Al 类反射层 5a 对与其邻接形成的 有机层或无机层可具有优异的粘合特性。
     Al 类反射层 5a 和透明导电层 5b 可相互接触。但基本不会发生由于 Al 类反射层 5a 和透明导电层 5b 之间电势差导致的电化学腐蚀。
     具体地, 由于两种彼此相邻的不同金属之间的电势差, 从而导致电流流动并产生 电, 从而会发生电化学腐蚀。 由于在界面处的不同功函, 相互接触的两种不同金属中具有相 对较高活性 ( 较低电势 ) 的一种可用作阴极, 而具有相对较低活性 ( 较高电势 ) 的另一种 可用作阳极。 当两种金属都暴露在腐蚀性溶液中时, 由于其间电势差两种金属都会被腐蚀。 这称作电化学腐蚀。具有较高活性的阴极会比单独使用时腐蚀更快。具有较低活性的阳极 会比单独使用时腐蚀更慢。由于电化学腐蚀沿着由不同金属形成的两个电极层的界面扩 展, 两个电极之间的接触电阻会骤然增大。因此, 接触电阻会分布非常不稳定。从而, 当运 行包括这样两个电极层的 OLED 时, OLED 的像素会显示具有不一致亮度的颜色。由于该不 均匀的亮度, 图像质量会显著降低。因而, 电化学腐蚀可能是 OLED 中质量恶化因素。
     然而, 因为 Al 类反射层 5a 包括第一元素, 它将在下文详细说明, 这种电化学腐蚀 基本不会在 Al 类反射层 5a 和透明导电层 5b 之间界面处出现。因此, 根据该实施方式的 OLED 会具有优异的图像质量。
     Al 类反射层 5a 可包括镍 (Ni)。具体的, Al 类反射层 5a 可包括 AlxNi 相, 其中 x 为约 2.5 至约 3.5。
     图 2A 示出了形成在钛 (Ti) 层 ( 层 B) 上的 Al 类反射层 ( 层 A) 的截面的透射电子 显微镜 (TEM) 照片, 其中 Al 类反射层包括 2wt%的镍和 0.35wt%的镧 (La), 且图 2B 示出了 图 2A 中所示的铝 (Al) 类反射膜的扫描透射电子显微镜 (STEM)- 高角环形暗场 (HAADF) 照 片。图 2C 示出了图 2A 中异常生长的 AlxNi 晶体的 X- 射线能量色散谱 ( 在第一和第二测量 点处 ) 的结果。如图 2C 中所示, 图 2C 中异常生长的 AlxNi 晶体包括比例为 Al(K) ∶ Ni(K) = 73 ∶ 27( 原子% ) 的 Al 和 Ni。因此, Al 类反射层大概包括 AlxNi 相, 其中 x 为约 3。
     x 为约 2.5 至约 3.5 的 AlxNi 相可与透明导电层 5b 接触。
     在实施方式中, 富 Ni 氧化物层可进一步布置在 Al 类反射层 5a 面对透明导电层 5b 的表面上。
     在本文中, 富镍氧化物层是指与具有化学计量化合价的氧化镍中的镍相比, 具有 过多量的镍的氧化镍层。图 3 示出了依次形成在 TFT 基板上的包括 Al 类反射层 ( 区域 C) 和透明 ITO 导电 层 ( 区域 D) 的结构截面的 TEM 照片, 其中 Al 类反射层包括 2wt%的镍 (Ni) 和 0.35wt%的 镧 (La)。在图 3 中, Al 类反射层和透明 ITO 导电层之间的线性区域, 表示为 “E” , 对应于具 有约 7nm 至约 8nm 厚度的富 Ni 氧化物层。
     由于上述的 x 为约 2.5 至 3.5 的 AlxNi 相和富 Ni 氧化物层, Al 类反射层 5a 和透 明导电层 5b 之间可实现欧姆接触。
     Ni 在 Al 类反射层 5a 中的含量可为约 0.6wt %至约 5wt %, 例如约 1wt %至约 4wt%。保持 Al 类反射层 5a 中 Ni 的量为约 0.6wt%至约 5wt%, 会有助于确保使 Al 类反 射层 5a 和透明导电层 5b 之间的接触电阻稳定, 且 Al 类反射层 5a 的反射率和耐化学品性 基本不会降低。在实施方式中, Ni 在 Al 类反射层 5a 中的含量可为约 2wt%。Ni 在 Al 类 反射层 5a 中的含量不限于上述量。
     除了具有上述功能的 Ni 以外, Al 类反射层 5a 还可包括第一元素。第一元素可 包括例如镧 (La)、 铈 (Ce)、 镨 (Pr)、 钷 (Pm)、 钐 (Sm)、 铕 (Eu)、 钆 (Gd)、 铽 (Tb)、 镝 (Dy)、 钬 (Ho)、 铒 (Er)、 铥 (Tm)、 镱 (Yb) 和 / 或镥 (Lu)。
     由于 Al 类反射层 5a 可包括第一元素, Al 类反射层 5a 可具有优异的热稳定性, 且 可有利于抑制电化学腐蚀。在实施方式中, 第一元素可包括镧 (La)。 第一元素在 Al 类反射层 5a 中的含量可为约 0.1wt%至约 3wt%, 例如约 0.1wt% 至约 1wt%。保持第一元素的量为约 0.1wt%至约 3wt%有助于确保 Al 类反射层 5a 中 Al 的热稳定性和 Al 类反射层 5a 的反射率基本都不会降低。 第一元素的含量不限于以上范围。 在实施方式中, 第一元素的含量可为例如约 0.30wt%至约 0.35wt%。
     Al 类反射层 5a 可具有约 50nm 或更大, 例如约 100nm 至约 500nm 的厚度。保持 Al 类反射层 5a 的厚度为约 50nm 或更大可有助于确保有机层 7 中产生的光不透过 Al 类反射 层 5a, 使得 OLED 的发光效率基本不会降低。
     透明导电层 5b 可由透明导电金属氧化物形成。透明导电金属氧化物可包括例如 ITO 和氧化锡 (SnO2), 但不限于此。在实施方式中, 透明导电层 5b 可由 ITO 形成。
     透明导电层 5b 可具有约 5nm 至约 100nm 的厚度, 例如约 7nm 至约 8nm。保持透明 导电层 5b 的厚度为约 5nm 至约 100nm 可有助于确保使 Al 类反射层 5a 的反射率降低最小 化, 且 OLED 具有优异的效率。
     含碳质材料层 6 可形成在透明导电层 5a 上。含碳质材料层 6 可将来自第一电极 5 的空穴有效注入并传输到有机层 7 中。因此, 如上文所述在第一电极 5 中包括 Al 类反射 层 5a 和透明导电层 5b 的 OLED 可具有优异的效率和功耗特性。含碳质材料层 6 的高至足 以补偿从 Al 类反射层 5a 反射的光的相差的高折射率 ( > 1.8) 也可为 OLED 提供优异的效 率和功耗特性。
     含碳质材料层 6 中的碳质材料可包括如由约 50 至约 600 个碳原子组成的碳的同 素异形体或含金属的碳质化合物。碳质材料可包括例如富勒烯类化合物、 含金属的富勒烯 类复合物、 碳纳米管、 碳纤维、 碳黑、 石墨、 卡宾、 MgC60、 CaC60 和 / 或 SrC60, 但不限于此。
     在实施方式中, 碳质材料可以是 C60-C500 富勒烯类化合物, 例如 C60。
     含碳质材料层 6 可具有约 1 至约 300至约 300的厚度。保持含碳质材料层 6 的厚度为约1可有助于确保得到以高效率发出具有高色纯度的红光、 绿光和 / 或蓝光6102044633 A CN 102044637说明书至约 100 的厚度。5/21 页的 OLED。在实施方式中, 含碳质材料层 6 可具有约 3 方式中, 含碳质材料层 6 可具有约 3
     的厚度。在另一个实施至约 30如上述一样, 有机层 7 可形成在含碳质材料层 6 上。全文中所用术语 “有机层” 是 指第一电极 5 和第二电极 9 之间的任意插入层。有机层 7 不能由纯有机材料形成并可包括 金属络合物。
     有机层 7 可包括选自由空穴注入层 (HIL)、 空穴传输层 (HTL)、 发光层 (EML)、 空穴 阻挡层 (HBL)、 电子传输层 (ETL) 和电子注入层 (EIL) 组成的中的至少一层。
     有机层 7 可具有包括例如 HIL、 HTL、 EML、 ETL 和 EIL 的堆叠结构, 这些层按以下顺 序堆叠在含碳质材料层 6 上。或者, 有机层 7 可具有包括例如 HTL、 EML、 ETL 和 EIL 的堆叠 结构, 这些层按以下顺序堆叠在含碳质材料层 6 上。
     HIL 可通过用例如真空沉积、 旋涂、 浇涂、 朗格谬尔 - 布朗格特 (LB) 沉积等方法形 成在含碳质材料层 6 上。
     当用真空沉积形成 HIL 时, 沉积条件可根据用于形成 HIL 的化合物和待形成的 HIL 的结构和热性质而改变。 然而, 通常用于真空沉积的条件可包括约 100 至约 500℃的沉积温 度、 约 10-8 至 10-3 托的真空压力、 以及约 0.01 至约 100
     的沉积速度。当用旋涂形成 HIL 时, 涂布条件可根据用于形成 HIL 的化合物和待形成的 HIL 的 结构和热性质而改变。然而, 通常用于旋涂的条件可包括约 2000 至约 5000rpm 的涂布速率 和约 80 至约 200℃的热处理温度, 涂布后进行热处理以去除溶剂。
     HIL 可由任何适于形成 HIL 的材料形成。用于形成 HIL 的材料可包括例如铜酞 菁的酞菁化合物、 4, 4′, 4″ - 三 (3- 甲苯基苯基氨基 ) 三苯基胺 (m-MTDATA)、 N, N′ - 二 (1- 萘基 )-N, N′ - 二苯基联苯胺 (NPB)、 TDATA、 2T-NATA、 聚苯胺 / 十二烷基苯磺酸 (Pani/ DBSA)、 聚 (3, 4- 乙二氧基噻吩 )/ 聚 (4- 苯乙烯磺酸酯 )(PEDOT/PSS)、 聚苯胺 / 樟脑磺酸 (Pani/CSA) 和聚苯胺 / 聚 (4- 苯乙烯磺酸酯 )(PANI/PSS), 但不限于此。
     HIL 可具有约 50至约 10000的厚度, 例如约 50至约 2500的厚度。保持HIL 的厚度为约 50至约 10000可有助于确保 HIL 具有优民的空穴注入能力而不会使驱动电压实质增加。
     然后, HTL 可用例如真空沉积、 旋涂、 浇涂、 朗格谬尔 - 布朗格特 (LB) 沉积等方法 形成。当 HTL 用真空沉积或旋涂形成时, 用于沉积和涂布的条件与用于形成 HIL 的条件相 似, 尽管用于沉积和涂布的条件可根据用于形成 HTL 的材料而改变。
     用于形成 HTL 的材料可以是由以下通式 41 或 42 表示的化合物。
     通式 41通式 42
     在通式 41 和 42 中, R10 可以是 -(Ar1)n-Ar2。R16 可以是 -(Ar11)m-Ar12。Ar1、 Ar11、 L1 和 L11 可各自独立为例如取代或未取代的 C1-C30 亚烷基、 取代或未取代的 C2-C30 亚烯基、 取代 或未取代的 C5-C30 亚芳基、 取代或未取代的 C4-C30 杂亚芳基、 和 / 或由 -N(Q1)- 表示的基团。 n、 m、 a 和 b 可各自独立为 0 至 10 的整数。R1 至 R3、 R11 至 R15、 R17、 R18、 R21 至 R29、 Ar2、 Ar12 和 Q1 可各自独立为例如氢、 卤素原子、 羟基、 氰基、 取代或未取代的 C1-C30 烷基、 取代或未取代 C2-C30 的烯基、 取代或未取代的 C2-C30 炔基、 取代或未取代的 C1-C30 烷氧基、 取代或未取代的 C1-C30 烷硫基 (alkylthiol)、 取代或未取代的 C5-C30 芳基、 取代或未取代的 C4-C30 杂芳基、 和 由 -N(Q2)(Q3) 表示的基团。Q2 和 Q3 可各自独立为氢、 卤素原子、 羟基、 氰基、 取代或未取代 的 C1-C30 烷基、 取代或未取代 C2-C30 的烯基、 取代或未取代的 C2-C30 炔基、 取代或未取代的 C1-C30 烷氧基、 取代或未取代的 C1-C30 烷硫基、 取代或未取代的 C5-C30 芳基、 和取代或未取代
     的 C4-C30 杂芳基, 其中 -(Ar1)n- 中的 n 个 Ar1 基彼此相同或不同, -(Ar11)m- 中的 m 个 Ar11 基 彼此相同或不同, -(L1)a- 中的 a 个 L1 基彼此相同或不同, -(L11)b- 中的 b 个 L11 基彼此相同 或不同。
     对 于 R10 的 通 式 -(Ar1)n-Ar2- 中 Ar1 和 对 于 R16 的 通 式 -(Ar11)m-Ar12- 中 Ar11 的 实例可包括取代或未取代的 C1-C10 亚烷基、 取代或未取代的 C2-C10 亚烯基、 取代或未取代 的亚苯基、 取代或未取代的亚戊搭烯基、 取代或未取代的亚茚基、 取代或未取代的亚萘基、 取代或未取代的亚甘菊环烃基、 取代或未取代的亚庚搭烯基、 取代或未取代的亚引达省基 (indacenylene group)、 取代或未取代的亚苊基、 取代或未取代的亚芴基、 取代或未取代的 亚非那烯基 (phenalenylene group)、 取代或未取代的亚菲基、 取代或未取代的亚蒽基、 取 代或未取代的亚萤蒽基、 取代或未取代的亚三苯基、 取代或未取代的亚芘基、 取代或未取代 的亚 基、 取代或未取代的亚并四苯基、 取代或未取代的亚苉基、 取代或未取代的亚苝基、 取代或未取代的亚并五苯基、 取代或未取代的亚并六苯基、 取代或未取代的亚吡咯基、 取代 或未取代的亚吡唑基、 取代或未取代的亚咪唑基、 取代或未取代的亚咪唑啉基、 取代或未取 代的亚咪唑并吡啶基、 取代或未取代的亚咪唑并嘧啶基、 取代或未取代的亚吡啶基、 取代或 未取代的亚吡嗪基、 取代或未取代的亚嘧啶基、 取代或未取代的亚吲哚基、 取代或未取代的 亚嘌呤基、 取代或未取代的亚喹啉基、 取代或未取代的亚酞嗪基、 取代或未取代的亚吲嗪 基、 取代或未取代的亚萘啶基、 取代或未取代的亚喹唑啉基、 取代或未取代的亚噌啉基、 取 代或未取代的亚吲唑基、 取代或未取代的亚咔唑基、 取代或未取代的亚吩嗪基、 取代或未取 代的亚啡啶基、 取代或未取代的亚吡喃基、 取代或未取代的亚苯并吡喃基、 取代或未取代的 亚苯并呋喃基、 取代或未取代的亚苯硫基、 取代或未取代的亚苯并苯硫基、 取代或未取代的 取代或未取代的亚苯并咪唑基、 取代或未取代的亚异噁唑基、 取代或未取代的 亚异噻唑基、 亚三嗪基、 和由 -N(Q1)- 表示的基团, 但不限于此。 在这点上, Q1 可包括例如氢、 卤素原子、 羟 基、 氰基、 取代或未取代的 C1-C10 烷基、 取代或未取代的 C2-C10 烯基、 取代或未取代的 C2-C10 炔基、 取代或未取代的 C1-C10 烷氧基、 取代或未取代的 C1-C10 烷硫基、 取代或未取代的 C5-C14 芳基和取代或未取代的 C4-C14 杂芳基, 但不限于此。
     例如, Ar1 和 Ar11 可各自独立为 C1-C10 亚烷基 ; 亚苯基 ; 亚萘基 ; 亚蒽基 ; 亚芴基 ; 亚 咔唑基 ; 亚吡唑基 ; 亚吡啶基 ; 亚三嗪基 ; -N(Q1)-, 具有包括卤素原子、 氰基、 羟基、 C1-C10 烷 基、 C1-C10 烷氧基、 苯基、 萘基和 / 或蒽基的至少一个取代基的取代的 C1-C10 亚烷基、 取代的 亚苯基、 取代的亚萘基、 取代的亚蒽基、 取代的亚芴基、 取代的亚咔唑基、 取代的亚吡唑基、 取代的亚吡啶基、 取代的亚三嗪基。在这点上, Q1 可包括例如氢、 C1-C10 烷基、 苯基、 萘基、 咔 唑基、 芴基、 以及具有选自由卤素原子、 氰基、 羟基、 C1-C10 烷基、 C1-C10 烷氧基、 苯基、 萘基和 / 或蒽基组成的组中的至少一个取代基的取代的 C1-C10 烷基、 取代的 C1-C10 烷氧基、 取代的 苯基、 取代的萘基、 取代的咔唑基和 / 或取代的芴基。
     通式 -(Ar1)n-Ar2- 中的 Ar2 和通式 -(Ar11)m-Ar12- 中的 Ar12 可限定如上述 Q1 一样。
     通式 -(Ar1)n-Ar2- 中的 n 和通式 -(Ar11)m-Ar12- 中的 m 可各自独立地为 0 至 6 的 整数。例如, n 和 m 可各自独立地为 0、 1、 2、 3、 4 或 5。
     -(Ar1)n-Ar2- 中的 n 个 Ar1 基可彼此相同或不同。例如, 当 n 为 2 时, -(Ar1)n- 中 的两个 Ar1 基可以都是亚苯基, 或者两者中一个可为 -N(Q1)-, 而另一个可为亚苯基。这种 解释可适用于 -(Ar11)m-Ar12-。通式 41 和 42 中的 R1 至 R3、 R11 至 R15、 R17、 R18、 R21 至 R29 可限定如上述 Q1 一样。
     例如, R13 可为苯基、 萘基或蒽基, 但不限于此。
     例如, R28 和 R29 可各自独立为氢、 甲基、 乙基、 甲氧基、 乙氧基、 苯基、 萘基和 / 或蒽 基, 但不限于此。
     通式 41 和 42 中的 L1 和 L2 可限定如上述 Ar1 和 Ar11 一样。
     例如, L1 和 L2 可各自独立为亚苯基、 C1-C10 烷基亚苯基、 氟代亚苯基、 亚咔唑基、 亚 三唑基、 C1-C10 烷基亚三唑基、 苯基亚三唑基、 C1-C10 亚烷基和 / 或苯基亚咔唑基, 但不限于 此。
     在通式 41 和 42 中, a 和 b 可各自独立为 0 至 10 的整数。例如, a 和 b 可各自独立 为 0、 1、 2 或 3, 但不限于此。
     例如, 在通式 42 中, 对于 R10 的通式 -(Ar1)n-Ar2- 中 Ar1 和对于 R16 的通式 -(Ar11) 亚咔唑基 ; 亚芴基 ; 甲基亚芴基 ; 亚吡唑基 ; 苯基亚吡 m-Ar12- 中 Ar11 可各自独立为亚苯基 ; 唑基 ; -N(Q1)-, 其中 Q1 为氢、 苯基、 芴基、 二甲基芴基、 二苯基芴基、 咔唑基或苯基咔唑基 ; 二 苯基亚芴基 ; 亚三嗪基 ; 甲基亚三嗪基 ; 苯基亚三嗪基 ; 四氟亚苯基 ; 亚乙基和 / 或甲基亚 苯基, 其中 n 和 m 各自独立为 0、 1、 2、 3、 4、 5 或 6, 且 Ar2 和 Ar12 各自独立为氢、 氰基、 氟基、 苯 基、 氰基苯基、 萘基、 蒽基、 甲基、 吡啶基、 咔唑基、 苯基咔唑基、 芴基、 二甲基芴基和 / 或二苯 基芴基。R11、 R12、 R14、 R15、 R17、 R18、 R21 至 R27 可以是氢。R13 可包括苯基、 萘基和 / 或蒽基。R28 和 R29 可各自独立为氢、 甲基、 乙基、 甲氧基、 乙氧基、 苯基、 萘基和 / 或蒽基。L11 可以是亚苯 基。b 可为 0 或 1。
     例如, 在通式 42 中, R13 可由式 101A 至 101D 之一表示。
     例如, 在通式 42 中, L11 可以是亚苯基, 且 b 可为 1。 例如, 在通式 42 中, R10 可由式 102A 至 102G 之一表示。例如, 在通式 42 中, R28 和 R29 各自独立为甲基或苯基。
     例如, 在通式 42 中, R11、 R12、 R14 至 R18 以及 R21 至 R27 可为氢原子。
     例如, 在通式 41 中, R1、 R2、 R3 可各自独立为 C1-C10 烷基 ; C1-C10 烷氧基 ; 苯基 ; 萘 基; 咔唑基 ; 芴基 ; 芘基 ; 蒽基 ; 吡唑基 ; 吡啶基 ; 用卤素原子、 氰基、 羟基、 C1-C10 烷基、 C1-C10 烷氧基、 苯基、 氰基苯基、 二苯胺基、 萘基、 咔唑基、 芴基、 C1-C10 烷基芴基、 二 (C1-C10 烷基 ) 芴 基、 苯基芴基、 二 ( 苯基 ) 芴基和蒽基中的至少一种取代的 C1-C10 烷基、 C1-C10 烷氧基、 苯基、 萘基、 咔唑基、 芴基、 芘基、 蒽基、 吡唑基或吡啶基 ; 或 -N(Q2)(Q3)。在此, Q2 和 Q3 中的每一个 可各自独立地为 C1-C10 烷基 ; C1-C10 烷氧基 ; 苯基 ; 萘基 ; 咔唑基 ; 芴基 ; 芘基 ; 蒽基 ; 吡唑基 ; 吡啶基 ; 或者用卤素原子、 氰基、 羟基、 C1-C10 烷基、 C1-C10 烷氧基、 苯基、 氰基苯基、 二苯胺基、 萘基、 咔唑基、 芴基、 C1-C10 烷基芴基、 二 (C1-C10 烷基 ) 芴基、 苯基芴基、 二 ( 苯基 ) 芴基和蒽 基中的至少一种取代的 C1-C10 烷基、 C1-C10 烷氧基、 苯基、 萘基、 咔唑基、 芴基、 芘基、 蒽基、 吡 唑基或吡啶基。
     例如, 在通式 41 中, R1、 R2、 R3 可各自独立为以下式 201 至 226 中的一种。
     在实施方式中, HTL 可包括由以下化合物 1 至 38 中的至少一种化合物, 但不限于此:
     HTL 可具有约 50至约 10000的厚度, 例如 100至约 2500的厚度。 保持 HTL的厚度为约 50至约 10000可有助于确保 HTL 具有满意的空穴传输能力, 而不会使驱动电压实质增加。
     然后, EML 可通过用例如真空沉积、 旋涂、 浇涂、 LB 沉积等方法形成在 HTL 上。当 EML 用真空沉积或旋涂形成时, 用于沉积和涂布的条件可与用于形成 HIL 的条件相似, 尽管 用于沉积和涂布的条件可根据用于形成 EML 的材料而改变。
     EML 可包括化合物、 或者主体和掺杂剂的组合。主体可包括例如 Alq3、 4, 4′ -N, N′ - 二咔唑 - 联苯 (CBP)、 聚 (n- 乙烯基咔唑 )(PVK)、 9, 10- 二 ( 萘 -2- 基 ) 蒽 (ADN)、 TCTA、 1, 3, 5- 三 (N- 苯基苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 (TPBI)、 3- 叔丁基 -9, 10- 二 -2- 萘基蒽 (TBADN)、 E3 和联苯乙烯亚芳基 (DSA), 但不限于此。
     红色掺杂剂的实例可包括 PtOEP、 Ir(piq)3 和 Btp2Ir(acac), 但不限于此。绿 色 掺 杂 剂 的 实 例 可 包 括 Ir(ppy)3(ppy = 苯 基 吡 啶 )、 Ir(ppy)2(acac) 和 Ir(mpyp)3, 但不限于此。
     蓝 色 掺 杂 剂 的 实 例 可 包 括 F2Irpic、 (F2ppy)2Ir(tmd)、 Ir(dfppz)3、 三 - 芴、 4, 4′ - 双 (4- 二苯氨基苯乙烯基 ) 联苯 (DPAVBi)、 2, 5, 8, 11- 四 - 叔丁基苝 (TBPe), 但不限 于此。
     通式 51通式 54通式 81 通式 83
     在以上通式 51 和 54 中, Ar51、 A52、 Ar53 和 Ar54 可限定如上述 Ar1 一样。
     在通式 51 和 54 中, Ar51、 A52、 Ar53 和 Ar54 可各自独立为例如亚苯基、 亚萘基、 亚蒽 基和苯基取代的亚蒽基, 但不限于此。
     在通式 51 和 54 中, R201 至 R209 以及 R51 至 R56 可限定如上述 Ar2 一样。例如 R201 至 R209 可为氢。
     在通式 51 和 54 中, d、 e、 f 和 g 可各自独立为 0 至 10 的整数。例如, d、 e、 f和g 可各自独立为 0、 1 或 2, 但不限于此。
     在通式 51 和 54 中, R51 至 R56 可各自独立为例如氢、 甲基、 乙基、 丙基、 丁基、 苯基、 萘基、 蒽基、 芘基、 咔唑基和 -N(Q2)(Q3), 其中 Q2 和 Q3 各自独立为甲基、 苯基、 萘基和 / 或蒽 基。
     在通式 81 中, L21 可以是例如取代或未取代的 C1-C30 亚烷基、 取代或未取代的 C2-C30 亚烯基、 取代或未取代的 C5-C30 亚芳基、 和取代或未取代的 C4-C30 杂亚芳基。c 可为 1 至 20 的整数, 且 -(L21)c- 中的 c 个 L21 基可彼此相同或不同。R31 至 R34 可各自独立为取代或未取 代的 C1-C30 烷基、 取代或未取代的 C2-C30 烯基、 取代或未取代的 C2-C30 炔基、 取代或未取代的 C1-C30 烷氧基、 取代或未取代的 C5-C30 芳基和 / 或取代或未取代的 C4-C30 杂芳基。
     在通式 81 中, L21 可限定如上述 Ar1 一样 ( 对 -N(Q1)- 的说明除外 ), 且 R31 至 R34 可限定如上述 Q1 一样 ( 对 -N(Q2)(Q3) 的说明除外 )。
     在通式 81 中, L21 可为亚乙烯基、 亚丙烯基或亚苯基。
     在通式 81 中, c 可为 1、 2、 3、 4、 5 或 6。
     在通式 81 中, R31 至 R34 可各自独立为氢、 甲基、 乙基、 丙基、 丁基、 甲氧基、 乙氧基、 丙氧基、 丁氧基、 苯基、 萘基和 / 或蒽基。
     在通式 81 中, -(L21)c- 中的 c 个 L21 基可彼此相同或不同。例如, 当 c 为 2 时, 两 个 L21 基都为亚苯基, 或者两个中的一个可为亚苯基, 另一个可为亚乙烯基。
     通式 81 的化合物可以是以下化合物 40, 但不限于此 :
     化合物 40
     在通式 83 中, A81 和 A82 可限定如上述 A1 一样。
     在通式 83 中, A81 和 A82 可各自独立为亚苯基、 苯基取代的亚苯基、 亚萘基、 亚蒽基、 苯基取代的亚蒽基和 / 或 -N(Q1)-, 但不限于此。在这点上, Q1 可为苯基或由至少一个 -F 基 取代的苯基。
     在通式 83 中, R221 至 R229 以及 R81 至 R84 可限定如上述 Ar2 一样。例如, R221 至 R229 可为氢。
     在通式 83 中, j 和 k 可各自独立为 0 至 10 的整数。在实施方式中, j 和 k 可各自 独立为 0、 1 或 2。
     在通式 83 中, R81 至 R84 可各自独立为氢、 卤素原子、 甲基、 乙基、 丙基、 丁基、 苯基、 萘基、 蒽基、 芘基、 咔唑基和 -N(Q2)(Q3), 其中 Q2 和 Q3 各自独立为甲基、 苯基、 萘基和 / 或蒽 基。
     在实施方式中, 有机层 7 的 EML 可包括例如以上化合物 40、 以下化合物 43、 51 至 55 和 58 作为主体, 但不限于此。
     化合物 43当掺杂剂和主体一起用作 EML 材料时, 基于 100 重量份的主体, 掺杂剂的含量可为 约 0.01 至约 15 重量份, 但不限于此。
     EML 可具有约 100 至约 1000至约 1000的厚度, 例如约 200至约 600保持 EML 的厚度为约 100 加。
     可有助于确保 EML 具有优异的发光能力而不会使驱动电压实质增在实施方式中, 有机层 7 可包括 HTL 和 EML, 其中 HTL 包括由以上式 2 表示的化合 物, 且 EML 包括由以上式 3 表示的化合物 ( 作为掺杂剂 ) 和上文所述的那些主体。在这点 上, 因为式 3 的化合物是蓝色掺杂剂, OLED 可以高效率和低功耗发出具有高色纯度的蓝光。
     在实施方式中, 有机层 7 可包括 HTL 和 EML, 其中 HTL 包括由以上式 1 至 37 表示的 一种化合物, 且 EML 包括化合物 40 和上文所述的那些主体。
     当磷光掺杂剂也用于形成 EML 时, HBL 可通过用例如真空沉积、 旋涂、 浇涂、 LB 沉积 等方法形成在 HTL 和 EML 之间, 以防止三线态激子或空穴扩散进入 ETL。当 HBL 用真空沉积 或旋涂形成时, 用于沉积和涂布的条件可与用于形成 HIL 的条件相似, 尽管用于沉积和涂 布的条件可根据用于形成 HBL 的材料而改变。可使用常用于形成 HBL 的任何材料。用于形 成 HBL 的材料实例可包括噁二唑衍生物、 三唑衍生物和啡咯啉衍生物, 但不限于此。
     HBL 可具有约 50 至约 1000至约 1000的厚度, 例如约 100至约 400保持 HBL 的厚度为约 50 加。
     可有助于确保 HBL 具有优异的空穴阻挡能力而不使驱动电压实质增然后, ETL 可通过例如真空沉积、 旋涂、 浇涂等方法形成在 HBL 或 EML 上。当 ETL 用 真空沉积或旋涂形成时, 沉积和涂布的条件可与用于形成 HIL 的条件相似, 尽管沉积和涂 布的条件可根据用于形成 ETL 的化合物而改变。用于形成 ETL 的材料可以是能够稳定传输 由电子注入电极 ( 阴极 ) 注入的电子的任何适宜材料。用于形成 ETL 的材料实例可包括喹 啉衍生物, 诸如三 (8- 羟基喹啉 ) 铝 (Alq3)、 TAZ 和 Balq, 但不限于此。
     ETL 可具有约 100 至约 1000至约 1000的厚度, 例如约 150至约 500保持 ETL 的厚度为约 100 实质增加。
     可有助于确保 ETL 具有满意的电子传输能力, 而不会使驱动电压然后, EIL 可形成在 ETL 上。EIL 可由使电子易于从阴极注入的任何适宜材料形成。 用于形成 EIL 的材料实例可包括 LiF、 NaCl、 CsF、 Li2O 和 BaO。用于形成 EIL 的 沉积和涂布的条件可与用于形成 HIL 的条件相似, 尽管沉积和涂布的条件可根据用于形成 EIL 的材料而改变。
     EIL 可具有约 1至约 100的厚度, 例如约 5至约 90保持 EIL 的厚度为约1至约 100可有助于确保 EIL 具有满意的电子注入能力, 而不会使驱动电压实质增加。最后, 第二电极 9 可形成在有机层 7 上。第二电极 9 可为阴极, 它是电子注入电 极。用于形成第二电极 9 的金属可为具有低功函的金属、 合金、 导电化合物及它们的混合 物。在这点上, 第二电极 9 可由例如锂 (Li)、 镁 (Mg)、 铝 (Al)、 铝 (Al)- 锂 (Li)、 钙 (Ca)、 镁 (Mg)- 铟 (In) 或镁 (Mg)- 银 (Ag)。
     图 4 示出了根据另一实施方式的 OLED 20 的截面示意图。 参照图 4, 根据该实施方 式的 OLED 20 可包括基板 21、 第一电极 25、 含碳质材料层 26、 有机层 27 和第二电极 29。第 二电极 25 可包括按以下顺序布置在基板 21 上的含镍 (Ni) 和第一元素的 Al 类反射层 25a、 透明导电层 25b 和含第二元素的氧化锌层 25c。基板 21、 含碳质材料层 26、 有机层 27、 第二 电极 29、 包括 Ni 和第一元素的 Al 类反射层 25a 和透明导电层 25b 可与上述结合图 1 所述 的相同, 因此省略其重复的详细描述。
     参照图 4, 在根据该实施方式的 OLED 20 中, 与图 1 中的 OLED 10 相比, 第一电极 25 可进一步包括含第二元素的氧化锌层 25c。含第二元素的氧化锌层 25c 可通过增加第一 电极 25 的功函来降低空穴注入壁垒。因此, 空穴可易于从第一电极 25 注入有机层 27 中。
     含第二元素的氧化锌层 25c 中的第二元素可包括铝 (Al)、 铟 (In)、 镓 (Ga)、 锗 (Ge)、 钆 (Gd)、 锆 (Zr)、 钼 (Mo) 和镍 (Ni) 中的至少一种。例如, 第二元素可包括铝 (Al)。 在实施方式中, 第二元素可为铝 (Al), 但不限于此。
     基于 100 重量份的含第二元素的氧化锌层 25c, 第二元素在含第二元素的氧化锌 层 25c 中的含量可为约 0.5 至约 10 重量份。保持含第二元素的氧化锌层 25c 中第二元素 的含量为约 0.5 至约 10 重量份可有助于确保含第二元素的氧化锌层 25c 具有优异的空穴 传输能力而不使电阻实质增加或可见光透过率实质下降。在实施方式中, 基于 100 重量份 的含第二元素的氧化锌层 25c, 第二元素的含量可为约 0.5 至约 5 重量份, 但不限于此。
     含第二元素的氧化锌层 25c 可具有约 121至约 800的厚度, 例如约 10至约102044633 A CN 102044637说明书至约 80020/21 页500保持含第二元素的氧化锌层 25c 的厚度为约 1可有助于确保获得优异的效率和功耗而不会使驱动电压实质降低。
     根据实施方式的 OLED 10 和 20 示于图 1 和 6 中。然而, 实施方式不限于此。例 如, OLED 10 和 20 可进一步包括在 Al 类反射层 5a(25a) 和基板 1(21) 之间的金属层。金 属层可用作阻挡 Al 从 Al 类反射层 5a(25a) 扩散进入基板 1(21) 的阻挡层。金属层可包括 钼 (Mo)、 钨 (W)、 钛 (Ti)、 钯 (Pd)、 铂 (Pt) 和金 (Au) 中的至少一种, 但不限于此。在实施方 式中, 金属层可包括钛 (Ti) 层。金属层可具有约 20nm 至约 200nm 的厚度, 例如约 50nm 至 约 100nm。保持金属层的厚度为约 20nm 至约 200nm 可有助于确保有效防止铝 (Al) 的扩散。 然而, 金属层的厚度不限于此。
     以下, 将参照以下实施例详细说明一个或多个实施方式。 然而, 这些实施例并不意 在限制一个或多个实施方式的目的和范围。
     实施例
     对比例 1
     将 15Ω/cm2(1200)ITO 玻璃基板 ( 来自康宁公司 ) 切成 50mm×50mm×0.7mm 的大小, 用异丙醇超声清洗 5 分钟, 然后用纯净水清洗 5 分钟, 再用 UV 臭氧清洗 30 分钟。然 然后将上述化合物 5 真空沉 后, 将 m-MTDATA 真空沉积在 ITO 层上形成厚度为 700 的 HIL, 积在 HIL 上形成厚度为 700 的 HTL。将 97wt%的 9, 10- 二 ( 萘 -2- 基 ) 蒽 (ADN) 作为主 的 EML。将 Alq3 的 的 ETL。将 Liq 真空沉积在 ETL 上形成厚度为 5 体和 3wt%的上述化合物 58 作为掺杂剂沉积在 HTL 上形成厚度为 200 真空沉积在 EML 上形成厚度为 300 极上形成厚度为 600
     EIL, 并将 Mg 和 Al 真空沉积在 EIL 上形成厚度为 160的阴极。接下来, 将 Alq3 沉积在阴的保护层, 从而完成 OLED 的制作。实施例 1 用与对比例 1 相同的方法制作 OLED, 区别在于使用其上按以下顺序依次布置有厚 的 AlNiLa 层 ( 包含 2wt%的 Ni 和 0.3wt%的 La) 和 70 厚的 ITO 层作为透明度为 5000导电层的玻璃基板代替 ITO 玻璃基板, 并在 HIL 形成之前将 C60 在 ITO 层上真空沉积至 3 的厚度以形成含碳质材料层。
     实施例 2
     用与实施例 1 相同的方法制作 OLED, 区别在于将 C60 沉积至 5 实施例 3 用与实施例 1 相同的方法制作 OLED, 区别在于将 C60 沉积至 10 实施例 4 用与实施例 1 相同的方法制作 OLED, 区别在于将 C60 沉积至 30的厚度。 的厚度且不形成HIL。
     的厚度且不形成HIL。 评价结果
     用 PR650( 光谱扫描 ) 源测量单元 ( 由 PhotoResearch 公司得到 ) 测定 OLED 的功 耗特性和效率。其结果示于以下表 1 中。
     表1
     22102044633 A CN 102044637说明书功率效率 (1m/W) 1.4 1.8 2.6 3.0 3.121/21 页驱动电压 (V) 对比例 1 实施例 1 实施例 2 实施例 3 实施例 4
     6.5 5.2 5.5 5.4 5.6参见表 1, 可以看出与对比例 1 的 OLED 相比, 实施例 1 至 4 的 OLED 具有较低的驱 动电压和改善的功率效率。
     如上所述, 根据实施方式的 OLED 可具有优异的效率和功率效率特性。
     文中已公开了示例性实施方式, 且尽管采用了具体术语, 但它们仅以普通说明性 方式使用并被理解, 并不用于限制的目的。 因此, 本领域普通技术人员应理解可进行形式和 细节上的各种改变而不背离由所附权利要求阐述的本发明的精神和范围。

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