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像素结构及其制作方法.pdf

摘要
申请专利号:

CN201210580130.8

申请日:

2012.12.27

公开号:

太阳城集团CN103123911B

公开日:

2015.01.07

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/77申请日:20121227|||公开
IPC分类号: H01L21/77; H01L27/02; H01L29/786 主分类号: H01L21/77
申请人: 友达光电股份有限公司
发明人: 张玮伦; 黄国有; 陈勃学
地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号
优先权: 2012.10.23 TW 101139082
专利代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
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法律状态
申请(专利)号:

太阳城集团CN201210580130.8

授权太阳城集团号:

103123911B||||||

法律状态太阳城集团日:

2015.01.07|||2013.06.26|||2013.05.29

法律状态类型:

太阳城集团授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

本发明有太阳城集团一种像素结构及其制作方法,该制作方法包含下列步骤。提供基板,并于基板上形成薄膜晶体管、第一保护层、具有第一开口的平坦层、具有第二开口的图案化第一导电层、第二保护层与光阻图案层。通过光阻图案层蚀刻第二保护层形成暴露出部分图案化第一导电层与部分第一保护层的第三开口。通过图案化第一导电层蚀刻第一保护层形成暴露出薄膜晶体管的部分漏极电极的第四开口。移除光阻图案层,以及于第二保护层上与第二开口、第三开口与第四开口内形成电性连接图案化第一导电层与漏极电极的图案化第二导电层。

权利要求书

权利要求书一种像素结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板,该基板上形成有至少一薄膜晶体管,该薄膜晶体管包含一栅极电极、一源极电极与一漏极电极;
于该基板上依序形成一第一保护层与一平坦层,该第一保护层覆盖该薄膜晶体管,而该平坦层覆盖该第一保护层,该平坦层具有一第一开口,该第一开口对应于该漏极电极并暴露出该漏极电极上的部分该第一保护层;
于该平坦层上形成一图案化第一导电层,该图案化第一导电层覆盖该第一开口的侧壁与部分该第一保护层,该图案化第一导电层具有一第二开口,暴露出该第一开口内的部分该第一保护层;
于该图案化第一导电层上形成一第二保护层;
于该第二保护层上形成一光阻图案层,该光阻图案层暴露出该第一开口内的部分该第二保护层;
蚀刻该光阻图案层所暴露出的该第二保护层,以形成一第三开口,该第三开口暴露出部分该图案化第一导电层与部分该第一保护层;
蚀刻该图案化第一导电层所暴露出的该第一保护层,以于该第一保护层中形成一第四开口,该第四开口暴露出部分该漏极电极;
移除该光阻图案层;以及
于该第二保护层上以及该第二开口、该第三开口与该第四开口内形成一图案化第二导电层,该图案化第二导电层电性连接暴露的该图案化第一导电层与该漏极电极。
根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,形成该薄膜晶体管的步骤还包括:
于该基板上形成该栅极电极与一覆盖该栅极电极的绝缘层;
于该绝缘层上形成该源极电极与该漏极电极;以及
于该绝缘层上形成一图案化半导体层与一图案化保护层。
根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,该图案化半导体层包含一图案化氧化物半导体层。
根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,形成该薄膜晶体管的步骤包括:
于该基板上形成该栅极电极与一覆盖该栅极电极的绝缘层;
于该绝缘层上形成一图案化半导体层;以及
于该绝缘层与该图案化半导体层上形成该源极电极与该漏极电极。
根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,该图案化半导体层包括一图案化非晶硅半导体层。
根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,该图案化第二导电层包括一桥接电极与一共通电极,该桥接电极与该共通电极彼此电性隔离,该图案化第一导电层包括一像素电极,且该像素电极与该漏极电极藉由该桥接电极电性连接。
一种像素结构,设置于一基板上,其特征在于,该像素结构包括:
至少一薄膜晶体管,设置于该基板上,该薄膜晶体管包含一栅极电极、一源极电极与一漏极电极;
一第一保护层,设置于该基板上并覆盖该薄膜晶体管,该第一保护层具有一第四开口,且该第四开口暴露部分该漏极电极;
一平坦层,设置于该第一保护层上,该平坦层包含一第一开口,该第一开口对应于该第四开口,且该第一开口暴露出部分该漏极电极与部分该第一保护层;
一像素电极,设置于该平坦层上,该像素电极包含一第二开口,该第二开口对应于该第一开口与该第四开口并暴露出该漏极电极;
一第二保护层,设置于该像素电极上,该第二保护层具有一第三开口,对应于该第二开口,且第四开口与该第三开口暴露出该漏极电极与位于该第一保护层上的部分该像素电极;以及
一桥接电极,设置于该第二保护层上以及该第一开口、该第二开口、该第三开口与该第四开口内,且该桥接电极电性连接暴露的该漏极电极与位于该第一保护层上的部分该像素电极。
根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,还包括一共通电极,设置于该第二保护层上。
根据权利要求8所述的像素结构,其特征在于,该共通电极与该桥接电极由同一层图案化透明导电层所构成,且该共通电极与该桥接电极彼此电性隔离。
根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,该第一开口大于该第二开口、该第三开口与该第四开口。
根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,该薄膜晶体管还包括一图案化半导体层,对应于该栅极电极设置。
根据权利要求11所述的像素结构,其特征在于,该图案化半导体层包括一图案化氧化物半导体层,且该源极电极与该漏极电极设置于该图案化氧化物半导体层与该栅极电极之间。
根据权利要求11所述的像素结构,其特征在于,该图案化半导体层包括一图案化非晶硅半导体层,且该图案化非晶硅半导体层设置于该源极电极与漏极电极以及该栅极电极之间。

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像素 结构 及其 制作方法
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