太阳城集团

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一种制作金属网栅的工艺.pdf

摘要
申请专利号:

CN201410229387.8

申请日:

2014.05.27

公开号:

CN105319836A

公开日:

2016.02.10

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情: 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):G03F 7/00申请公布日:20160210|||公开
IPC分类号: G03F7/00; G03F7/16; G03F7/20; G03F7/26; H01L21/768 主分类号: G03F7/00
申请人: 无锡嘉美达橡塑设备有限公司
发明人: 张芳芳
地址: 214000江苏省无锡市惠山区惠山经济开发区洛社配套区Y区无锡嘉美达橡塑设备有限公司
优先权:
专利代理机构: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 徐鹏飞
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法律状态
申请(专利)号:

CN201410229387.8

授权太阳城集团号:

|||

法律状态太阳城集团日:

2018.01.12|||2016.02.10

法律状态类型:

发明专利申请公布后的视为撤回|||公开

摘要

太阳城集团本发明涉及微电子制造技术领域,尤其涉及一种制作金属网栅的工艺。本发明包括:步骤1、在衬底材料上涂覆光刻胶,用甩胶机甩胶,甩胶机工作的转速设置两组不同的转速;步骤2、用烘干机对甩胶后的衬底材料在加热箱中加热,加热温度为105℃-115℃,加热太阳城集团为3mins-5mins;步骤3、用曝光机对加热后的衬底材料进行曝光;步骤4、用与所述光刻胶配套的显影液对曝光后的衬底材料进行显影,显影太阳城集团为80s-100s;步骤5、用加热箱对显影后的衬底材料进行加热,加热温度为110℃,加热太阳城集团为5mins-10mins;步骤6、用刻蚀机进行干法刻蚀。本发明所述的工艺能够制作出较高精细度的金属网栅图形。

权利要求书

1.一种制作金属网栅的工艺,其特征在于,包括:
步骤1、在衬底材料上涂覆光刻胶,用甩胶机甩胶,甩胶机工作的转速设
置两组不同的转速;
步骤2、用烘干机对甩胶后的衬底材料在加热箱中加热,加热温度为
105℃-115℃,加热太阳城集团为3mins-5mins;
步骤3、用曝光机对加热后的衬底材料进行曝光;
步骤4、用与所述光刻胶配套的显影液对曝光后的衬底材料进行显影,显
影太阳城集团为80s-100s;
步骤5、用加热箱对显影后的衬底材料进行加热,加热温度为110℃,加
热太阳城集团为5mins-10mins;
步骤6、用刻蚀机进行干法刻蚀。
2.根据权利要求1所述的一种制作金属网栅的工艺,其特征在于,所述
步骤1的两组不同的转速分别为,第一组转速为800r/min,旋转太阳城集团为30s;
第二组转速为6500r/min,旋转太阳城集团为60s。
3.根据权利要求1所述的一种制作金属网栅的工艺,其特征在于,所述
步骤1涂覆光刻胶的量占衬底材料面积的2/3。
4.根据权利要求1所述的一种制作金属网栅的工艺,其特征在于,所述
步骤3曝光机的工作波长为365nm的紫外光。
5.根据权利要求1所述的一种制作金属网栅的工艺,其特征在于,所述
步骤4显影方式为用镊子夹住所述曝光后的衬底材料在盛有显影液的烧杯中顺
时针搅拌。
6.根据权利要求1所述的一种制作金属网栅的工艺,其特征在于,所述
衬底材料由硅片和通过离子溅射技术溅射在硅片上的金属膜组成。
7.根据权利要求1所述的一种制作金属网栅的工艺,其特征在于,所述
步骤1之前还包括对衬底材料进行预加热,加热温度为110℃,加热太阳城集团为
3mins。
8.根据权利要求1所述的一种制作金属网栅的工艺,其特征在于,所述
步骤3的曝光太阳城集团为2s,曝光间隙为2um。

说明书

一种制作金属网栅的工艺

技术领域

本发明涉及微电子制造技术领域,尤其涉及一种制作金属网栅的工艺。

背景技术

随着半导体技术的发展,集成电路日益致密化,在集成电路中需要制作非
常微细的连接。目前,主要通过采用光刻技术和干法刻蚀技术在衬底材料上制
作超细图案,但是在制作工程中存在制作精细度不高的问题,其主要原因是因
为经曝光后的光刻胶在显影过程中使没有发生光化学反应部分的光刻胶由于粘
的不牢固也被显影液溶解掉所致。

发明内容

本发明的目的在于提出一种制作金属网栅的工艺,能够使制作的金属网栅
精细度高。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

一种制作金属网栅的工艺,包括:

步骤1、在衬底材料上涂覆光刻胶,用甩胶机甩胶,甩胶机工作的转速设
置两组不同的转速;

步骤2、用烘干机对甩胶后的衬底材料在加热箱中加热,加热温度为
105℃-115℃,加热太阳城集团为3mins-5mins;

步骤3、用曝光机对加热后的衬底材料进行曝光;

步骤4、用与所述光刻胶配套的显影液对曝光后的衬底材料进行显影,显
影太阳城集团为80s-100s;

步骤5、用加热箱对显影后的衬底材料进行加热,加热温度为110℃,加
热太阳城集团为5mins-10mins;

步骤6、用刻蚀机进行干法刻蚀。

其中,所述步骤1的两组不同的转速分别为,第一组转速为800r/min,旋
转太阳城集团为30s;第二组转速为6500r/min,旋转太阳城集团为60s。

其中,所述步骤1涂覆光刻胶的量占衬底材料面积的2/3。

其中,所述步骤3曝光机的工作波长为365nm的紫外光。

其中,所述步骤4显影方式为用镊子夹住所述曝光后的衬底材料在盛有显
影液的烧杯中顺时针搅拌。

其中,所述衬底材料由硅片和通过离子溅射技术溅射在硅片上的金属膜组
成。

其中,所述步骤1之前还包括对衬底材料进行预加热,加热温度为
110℃,加热太阳城集团为3mins。

其中,所述步骤3的曝光太阳城集团为2s,曝光间隙为2um。

本发明包括:步骤1、在衬底材料上涂覆光刻胶,用甩胶机甩胶,甩胶机
工作的转速设置两组不同的转速;步骤2、用烘干机对甩胶后的衬底材料在加
热箱中加热,加热温度为105℃-115℃,加热太阳城集团为3mins-5mins;步骤3、用
曝光机对加热后的衬底材料进行曝光;步骤4、用与所述光刻胶配套的显影液
对曝光后的衬底材料进行显影,显影太阳城集团为80s-100s;步骤5、用加热箱对显
影后的衬底材料进行加热,加热温度为110℃,加热太阳城集团为5mins-10mins;步
骤6、用光刻机进行干法刻蚀。通过设置两组不同的转速进行甩胶,使甩胶效
果更佳均匀,粘黏性好;通过对甩胶后的衬底材料进行加热,能够使光刻胶中
的水分挥发掉,增加了光刻胶与衬底材料之间的结合力;在曝光时,掩模板掩
盖住的光刻胶部分粘结效果好、没有发生光化学反应,使得在进行显影的过程
中不会被显影液溶解掉,因此,被溶解的部分与没被溶解掉的部分陡度高、分
界明显,有利于后续的干法刻蚀,能够制作出精细度高的金属网栅。

具体实施方式

下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

一种制作金属网栅的工艺,包括:

步骤1、在衬底材料上涂覆光刻胶,用甩胶机甩胶,甩胶机工作的转速设
置两组不同的转速;

步骤2、用烘干机对甩胶后的衬底材料在加热箱中加热,加热温度为
105℃-115℃,加热太阳城集团为3mins-5mins;

步骤3、用曝光机对加热后的衬底材料进行曝光;

步骤4、用与所述光刻胶配套的显影液对曝光后的衬底材料进行显影,显
影太阳城集团为80s-100s;

步骤5、用加热箱对显影后的衬底材料进行加热,加热温度为110℃,加
热太阳城集团为5mins-10mins;

步骤6、用光刻机进行干法刻蚀。

在本实施例中,所采用的光刻胶为正性光刻胶,掩模板的图形与预制作的
金属网栅的图形相同,是母板,在曝光时,将掩模板放置在涂覆有光刻胶的衬
底材料的上面,使曝光机通过掩模板对所述衬底材料进行曝光,使涂覆有光刻
胶的衬底材料被掩模板掩盖的部分不发生光化学反应,而没有被掩模板掩盖的
部分发生光化学反应,没有发生光化学反应的部分在显影的时候就不会被溶解
掉,而发生光化学反应的部分就会被显影液溶解掉。因此,为了得到高精细度
的金属网栅,光刻胶与衬底材料要要牢固地粘结,使得被溶解的部分与没被溶
解掉的部分的分界明显、陡度高,这样才能有利于后续的干法刻蚀,制作出精
细度高的金属网栅。因此,本发明所述的工艺通过采用两组不同的转速进行匀
胶,以及对匀胶后的衬底材料加热,通过这些操作,使匀胶更加均匀,增加了
光刻胶与衬底材料的粘黏力;通过对匀胶后的衬底材料进行加热,能够使光刻
胶中的水分充分挥发掉,增加了光刻胶与衬底材料之间的结合力。

优选地,所述步骤1的两组不同的转速分别为,第一组转速为800r/min,
旋转太阳城集团为30s;第二组转速为6500r/min,旋转太阳城集团为60s。通过设置两组不
同的梯度转速,使甩胶机的转速在达到高转速之前由较低的转速进行缓冲,这
样能够使甩胶效果更均匀。

所述步骤1涂覆光刻胶的量占衬底材料面积的2/3。由于光刻胶与衬底材
料的粘结量有限,过多的光刻胶涂覆在衬底材料上会造成浪费;过少的光刻胶
涂覆在衬底材料上会造成涂覆不均匀,有些部分漏涂覆。

所述步骤3曝光机的工作波长为365nm的紫外光。

所述步骤4显影方式为用镊子夹住所述曝光后的衬底材料在盛有显影液的
烧杯中顺时针搅拌,顺时针搅拌的操作方式能够使显影效果更好,能够均匀地
溶解发生光化学反应的部分。

所述衬底材料由硅片和通过离子溅射技术溅射在硅片上的金属膜组成。

所述步骤1之前还包括对衬底材料进行预加热,加热温度为110℃,加热
太阳城集团为3mins。通过预加热能够对衬底材料起到干燥的作用,有利于后续涂覆
光刻胶,增强光刻胶与衬底材料的粘黏力。

所述步骤3的曝光太阳城集团为2s,曝光间隙为2um。

以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局
限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本
发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护
范围之内。

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