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用于处理磁结构的工艺.pdf

摘要
申请专利号:

太阳城集团CN201480010664.4

申请日:

2014.02.21

公开号:

太阳城集团CN105164828A

公开日:

2015.12.16

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 43/12申请日:20140221|||公开
IPC分类号: H01L43/12; C23C18/50; H01F41/14 主分类号: H01L43/12
申请人: 国家科学研究中心; 巴黎第十一大学
发明人: 达菲内·拉维洛索纳
地址: 法国巴黎
优先权: 1351739 2013.02.27 FR
专利代理机构: 上海天协和诚知识产权代理事务所31216 代理人: 童锡君
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法律状态
申请(专利)号:

太阳城集团CN201480010664.4

授权太阳城集团号:

||||||

法律状态太阳城集团日:

太阳城集团2018.07.13|||2016.01.13|||2015.12.16

法律状态类型:

授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

太阳城集团处理磁结构的工艺,其特征在于,包括以下步骤:提供(S10)包括至少一层含钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层的磁结构;用低能轻离子辐射(S20)磁结构;以及用预设温度曲线和预设的太阳城集团来保持(S30)磁结构。

权利要求书

权利要求书
1.  用于处理磁结构(100)的工艺,其特征在于,包括以下步骤:
-提供(S10)磁结构(100),所述磁结构包括至少一层含有钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层(102);
-用低能轻离子辐射(S20)所述磁结构(100);以及,
-用预设温度曲线和预设太阳城集团来同时保持(S30)磁结构(100)。

2.  根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述预设温度小于或等于200℃。

3.  根据权利要求1或2所述的工艺,其特征在于,所述预设温度介于20℃至200℃之间。

4.  根据权利要求1或2所述的工艺,其特征在于,所述预设温度介于15℃至40℃之间。

5.  根据权利要求1至4中任一项所述的工艺,其特征在于,所述预设太阳城集团小于或等于1小时。

6.  根据权利要求1至5中任一项所述的工艺,其特征在于,所述磁性材料最初是非晶体的。

7.  根据权利要求1至5中任一项所述的工艺,其特征在于,所述磁性材料最初是晶体的。

8.  根据权利要求1至7中任一项所述的工艺,其特征在于,所述离子是He+、H+、Ar+、Xe+或Ga+离子。

9.  根据权利要求1至8中任一项所述的工艺,其特征在于,所述离子的能量介于0.1keV至150keV之间。

10.  根据权利要求1至9中任一项所述的工艺,其特征在于,在辐射步骤(S20)中,所述发射离子的剂量介于1x1013离子/cm2至5x1016离子/cm2之间。

11.  根据权利要求1至10中任一项所述的工艺,其特征在于,在辐射 步骤(S20)中,所述离子至少穿过所述第一磁性材料层(102)。

12.  根据权利要求1至11中任一项所述的工艺,其特征在于,在辐射步骤(S20)中,所述离子通过掩模(112)内的贯通开口(114)轰击所述磁结构(100)。

13.  根据权利要求1至12中任一项所述的工艺,其特征在于,所述磁结构(100)包括与所述第一磁性材料层(102)相接触的至少一层第二绝缘层(106)。

14.  根据权利要求13所述的工艺,其特征在于,所述磁结构(100)包括层叠交替的所述第一磁性材料层(102)和所述第二绝缘层(106)。

15.  磁结构(100),其特征在于,至少包括:
-含有钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层(102);以及,
-衬底(104),所述第一磁性材料层(102)设置在所述衬底上,并且所述衬底包含低能轻原子。

16.  根据权利要求15所述的磁结构(100),具有大于或等于500mT的有效的各向异性场。

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