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一种亚微米级干法刻蚀工艺方法.pdf

摘要
申请专利号:

CN201510538118.4

申请日:

2015.08.28

公开号:

CN105045038A

公开日:

2015.11.11

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/004申请日:20150828|||公开
IPC分类号: G03F7/004; G03F7/20 主分类号: G03F7/004
申请人: 深圳华远微电科技有限公司
发明人: 姚艳龙; 沙小强; 刘绍侃
地址: 518000广东省深圳市宝安区沙井街道新二社区庄村路5号E栋一、三层
优先权:
专利代理机构: 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙)44324 代理人: 王志强
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法律状态
申请(专利)号:

太阳城集团CN201510538118.4

授权太阳城集团号:

|||

法律状态太阳城集团日:

2016.06.15|||2015.11.11

法律状态类型:

太阳城集团实质审查的生效|||公开

摘要

太阳城集团本发明提出一种亚微米级干法刻蚀工艺方法,涉及声表面波技术领域。本发明包括镀膜工艺、选取光刻胶、涂胶工艺、光刻工艺、流化工艺及干法刻蚀工艺等步骤,其中,光刻胶选用分辨率能满足亚微米曝光要求,且本身随温度的升高体现出一定规律的流淌性的光刻胶。本发明利用光刻胶的流化效应这一特点,使得光刻胶逐渐变成高度变低,底边变长的正梯形,变相的增加了线条宽度余量,有效的解决了在亚微米的工艺精度下,减少干法刻蚀工艺的侧向腐蚀。

权利要求书

1.一种亚微米级干法刻蚀工艺方法,其特征在于:包括以下步骤:A、镀膜工艺,在长方体状的压电晶片之上均匀镀一层金属薄膜;B、选取光刻胶,寻找分辨率能满足亚微米曝光要求,且本身随温度的升高体现出一定规律的流淌性的光刻胶;C、涂胶工艺,在金属薄膜之上均匀涂布一层上述光刻胶;D、光刻工艺,在步骤C中的光刻胶的上方放置一块光刻板,光刻板的中间为透光区域,用紫外光垂直照射光刻板,紫外光从透光区域垂直射入光刻胶并与光刻胶发生反应,随后去除与紫外光发生反应的中间部分的光刻胶;E、流化工艺,将步骤D中的未与紫外光发生反应的光刻胶静置一段太阳城集团,此时,光刻胶由于受到温度变化的影响会逐渐呈现正梯形,并且光刻胶高度变低,光刻胶底部之间的距离变短;F、干法刻蚀工艺,将步骤D中由于中间部分光刻胶的去除而裸露在外的金属薄膜与腐蚀气体发生反应从而去除中间部分的金属薄膜;G、除去余下的光刻胶,使得光刻胶下面的金属薄膜裸露出来;H、在上述金属薄膜的表面上刻蚀出需要的金属栅阵线条图形。

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一种 微米 级干法 刻蚀 工艺 方法
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