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TM偏振的垂直入射石英12分束的双层错移光栅.pdf

摘要
申请专利号:

CN201310566835.9

申请日:

2013.11.14

公开号:

CN103630960A

公开日:

2014.03.12

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G02B 5/18申请日:20131114|||公开
IPC分类号: G02B5/18 主分类号: G02B5/18
申请人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
发明人: 周常河; 李树斌
地址: 201800 上海市嘉定区800-211邮政信箱
优先权:
专利代理机构: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
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法律状态
申请(专利)号:

CN201310566835.9

授权太阳城集团号:

||||||

法律状态太阳城集团日:

2016.03.09|||2014.04.09|||2014.03.12

法律状态类型:

授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

一种用于1064纳米波长的TM偏振的垂直入射石英1×2分束的双层错移光栅,由光栅结构参数相同的上光栅和下光栅相对错移构成,上光栅和下光栅紧密结合无间隔,该上光栅和下光栅的光栅周期为1326~1329纳米,脊宽为609~612纳米,偏移量为177~179纳米,总的光栅深度为2016~2018纳米,当TM偏振光垂直入射时,其透射光总的衍射效率可高于96%,分束器的均匀性优于3.10%。本发明TM偏振的垂直入射的石英双层错移光栅由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成,取材方便,造价小,能大批量生产,具有重要的实用前景。

权利要求书

权利要求书
1.  一种用于1064纳米波长的TM偏振的垂直入射石英1×2分束的双层错移光栅,特征在于其是由光栅结构参数相同的上光栅和下光栅相对错移构成的,上光栅和下光栅紧密结合无间隔,该上光栅和下光栅的光栅周期为1326~1329纳米,脊宽为609~612纳米,上光栅和下光栅的偏移量为177~179纳米,总的光栅深度为2016~2019纳米。

2.  根据权利要求1所述的TM偏振垂直入射石英1×2分束的双层错移光栅,其特征在于所述的上光栅和下光栅的光栅周期为1327.5纳米,偏移量为178纳米,脊宽为610.6纳米,总的光栅深度为2017纳米。

关 键 词:
TM 偏振 垂直 入射 石英 12 双层 光栅
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