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有机发光二极管面板及包括该发光二极管面板的电子装置.pdf

摘要
申请专利号:

太阳城集团CN201210319667.9

申请日:

2012.08.31

公开号:

CN103681729A

公开日:

2014.03.26

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情: 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 27/32申请公布日:20140326|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/32申请日:20120831|||公开
IPC分类号: H01L27/32; G09F9/33 主分类号: H01L27/32
申请人: 群康科技(深圳)有限公司; 奇美电子股份有限公司
发明人: 李竣凯; 吴芳奕; 徐湘伦
地址: 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园区E区4栋1楼
优先权:
专利代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
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法律状态
申请(专利)号:

太阳城集团CN201210319667.9

授权太阳城集团号:

||||||

法律状态太阳城集团日:

2017.03.08|||2014.04.23|||2014.03.26

法律状态类型:

发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开

摘要

本发明提供一种有机发光二极管面板及包括该发光二极管面板的电子装置,所述有机发光二极管面板包括基板、阳极、复合发光层、阴极与至少一复合绝缘层。阳极位于基板的上面。复合发光层位于阳极的上面。阴极位于复合发光层的上面。复合绝缘层具有至少两层绝缘层,其中这些绝缘层具有不同折射系数,且位于阴极上面及介于基板与阳极之间的至少之一。

权利要求书

权利要求书
1.  一种有机发光二极管面板,其特征在于,所述有机发光二极管面板包括:
基板;
阳极,位于所述基板的上面;
复合发光层,位于所述阳极的上面;
阴极,位于所述复合发光层的上面;以及
至少一复合绝缘层,具有至少两层绝缘层,其中所述绝缘层具有不同的折射系数,且其中所述复合绝缘层位于所述阴极上面及介于所述基板与所述阳极之间的至少之一。

2.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述复合绝缘层的吸收率低于10%。

3.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述绝缘层的折射系数介于1.4至2.6之间。

4.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述复合绝缘层位于所述阴极上面的紧邻所述阴极的所述绝缘层的折射系数相较于次紧邻所述阴极的所述绝缘层的折射系数低。

5.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述复合绝缘层介于所述基板与所述阳极之间的紧邻所述阳极的所述绝缘层的折射系数相较于次紧邻所述阳极的所述绝缘层的折射系数低。

6.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述复合绝缘层的厚度介于3至10微米之间。

7.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述有机发光二极管面板为上发光型有机二极管面板,所述阳极为反射阳极,所述阴极为半透明阴极,且所述复合绝缘层位于所述阴极的上面。

8.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述有机发光二极管面板为下发光型有机二极管面板,所述阳极为透明阳极,所述阴极为非透明阴极,所述复合绝缘层位于所述基板与所述阳极之间,且所述有机发光二极管还包括位于所述阴极上面的钝化保护层。

9.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述有机发光二极管面板为穿透型有机二极管面板,所述阳极为透明阳极,所述阴极为半透明阴极,且所述复合绝缘层的其中之一位于所述阴极的上面,且所述复合绝缘层的另一层位于所述基板与所述阳极之间。

10.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述绝缘层的材料为SiNx、SiOx、SiON、MgF2、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或8-羟基喹啉铝。

11.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述绝缘层的材料为AlF3、AlOxNy、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF3、CaF2、CdSe、CdS、CdTe、CeF3、CeO2、CsI、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、In2O3、LaF3、La2O3、LiF、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nd2O3、PbCl2、PbF2、PbTe、Pr6O11、Sb2O3、Ta2O5、TeO2、TiN、TiO2、TiCl、ThF4、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnO、ZnS、ZnSe或ZrO2。

12.  根据权利要求1所述的有机发光二极管面板,其特征在于,所述有机发光二极管面板为白色有机发光二极管面板。

13.  一种电子装置,其特征在于,所述电子装置包括:
根据权利要求1所述的有机发光二极管面板;
薄膜晶体管阵列,与所述有机发光二极管面板相对设置;以及
控制电路,与所述有机发光二极管面板及所述薄膜晶体管阵列电性连接。

14.  根据权利要求13所述的电子装置,其特征在于,所述复合绝缘层的吸收率低于10%。

15.  根据权利要求13所述的电子装置,其特征在于,所述绝缘层的折射系数介于1.4至2.6之间。

16.  根据权利要求13所述的电子装置,其特征在于,所述复合绝缘层的厚度介于3至10微米之间。

17.  根据权利要求13所述的电子装置,其特征在于,所述复合绝缘层位于所述阴极上面的紧邻所述阴极的所述绝缘层的折射系数相较于次紧邻所述阴极的所述绝缘层的折射系数低。

18.  根据权利要求13所述的电子装置,其特征在于,所述复合绝缘层介于所述基板与所述阳极之间的紧邻所述阳极的所述绝缘层的折射系数相较于次紧邻所述阳极的所述绝缘层的折射系数低。

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