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短路检测及反转.pdf

摘要
申请专利号:

CN201580051642.7

申请日:

2015.09.29

公开号:

CN106716374A

公开日:

2017.05.24

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G06F 11/10申请日:20150929|||公开
IPC分类号: G06F11/10 主分类号: G06F11/10
申请人: 艾沃思宾技术公司
发明人: T·安德烈; J·斯劳特; D·豪撒梅迪恩; S·M·阿拉姆
地址: 美国亚利桑那
优先权: 2014.09.30 US 14/502,287
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
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法律状态
申请(专利)号:

CN201580051642.7

授权太阳城集团号:

|||

法律状态太阳城集团日:

2017.06.16|||2017.05.24

法律状态类型:

实质审查的生效|||公开

摘要

在一些示例中,存储器设备可以被配置为至少部分基于与一个或多个短路位单元相关联的状态来以原始状态或反转状态存储数据。例如,存储器设备可以被配置为识别在存储器阵列内的短路位单元并将数据存储于存储器阵列中,使得存储于短路位单元内的数据位的状态与和短路位单元相关联的状态相匹配。

权利要求书

1.一种存储器设备,包括:
具有多个位单元的存储器阵列;
短路检测构件,配置为识别所述存储器阵列的所述多个位单元中的至少一个短路位单
元;以及
反转构件,配置为接收要存储于所述存储器阵列中的多个数据位,并且至少部分基于
所述多个数据位中的要存储于所述至少一个短路位单元内的数据位的状态来反转所述多
个数据位。
2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述多个位单元与所述存储器阵列的特定
的错误校正码(ECC)字相关联。
3.根据权利要求1所述的存储器设备,其中:
所述至少一个短路位单元包括至少三个短路位单元;并且
所述反转构件被配置为确定与要存储于所述至少三个短路位单元内的所述数据位相
关联的多数状态,并且至少部分基于所述多数状态来反转所述多个数据位中的每个数据位
的状态。
4.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述短路检测构件被配置为至少部分基于
由基准电阻生成的电压来识别所述至少一个短路位单元。
5.根据权利要求4所述的存储器设备,其中所述短路检测构件被配置为至少部分基于
采样电压来识别所述至少一个短路位单元。
6.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述反转构件被配置为至少部分基于所述
至少一个短路位单元的状态来反转要存储于所述存储器阵列中的所述多个数据位。
7.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述反转构件被配置为至少部分基于通过
将所述至少一个短路位单元中的每个短路位单元的固定状态与要存储于所述至少一个短
路位单元中的每个短路位单元内的所述多个数据位中的所述数据位的所述状态进行比较
而识别出的匹配的数量来反转要存储于所述存储器阵列中的所述多个数据位。
8.根据权利要求1所述的存储器设备,还包括被配置为将错误数据提供给所述检测构
件的错误校正构件,并且其中所述检测构件被配置为至少部分基于所述错误数据来识别所
述至少一个短路位。
9.根据权利要求1所述的存储器设备,还包括被配置为将与所述多个位单元中的每个
位单元的状态相关联的读取数据提供给所述检测构件的灵敏放大器构件,并且其中所述检
测构件被配置为至少部分基于所述读取数据来识别所述至少一个短路位。
10.根据权利要求1所述的存储器设备,还包括被配置为将与所述多个位单元中的每个
位单元的状态相关联的读取数据提供给所述反转构件的灵敏放大器构件,并且其中所述检
测构件被配置为至少部分基于所述读取数据来识别所述至少一个短路位。
11.一种方法,包括:
接收要存储于存储器阵列中的多个数据位;
识别所述存储器阵列的第一短路位单元;
确定与所述第一短路位单元相关联的状态;
识别要存储于所述第一短路位单元内的所述多个数据位中的第一数据位;
确定与所述第一数据位相关联的状态;
确定所述第一短路位的所述状态与所述第一数据位的所述状态不同;
响应于确定所述第一短路位的所述状态与所述第一数据位的所述状态不同,反转所述
多个数据位;以及
将反转的所述多个数据位存储于所述存储器阵列中。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一数据位的所述状态为高状态,并且所述
第一短路位的所述状态为低状态。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一数据位的所述状态为低状态,并且所述
第一短路位的所述状态为高状态。
14.根据权利要求11所述的方法,其中至少部分基于基准电阻来识别所述第一短路位
单元。
15.根据权利要求11所述的方法,其中至少部分基于电压基准来识别所述第一短路位
单元。
16.根据权利要求11所述的方法,还包括:当所述第一数据位的所述状态不同于第二数
据位的状态时,防止写入电压被施加于第二短路位单元,所述第二数据位要存储于所述第
二短路位单元内。
17.一种方法,包括:
接收要存储于存储器阵列中的数据,所述数据包括多个数据位,所述多个数据位的第
一部分具有第一状态,并且所述多个数据位的第二部分具有第二状态;
确定所述存储器阵列的至少一个位单元短路;
确定所述多个数据位中的数据位的状态,所述数据位要存储于所述至少一个位单元
内;
当所述数据位的所述状态为所述第一状态时,将所述多个数据位存储于所述存储器阵
列内;
当要存储于所述至少一个位单元内的所述数据位的所述状态为所述第二状态时,反转
所述多个数据位中的每个数据位的状态;以及
当要存储于所述至少一个位单元内的所述数据位的所述状态为所述第二状态时,将所
述多个反转的数据位存储于所述存储器阵列中。
18.根据权利要求17所述的方法,还包括:当要存储于所述至少一个位单元内的所述数
据位的所述状态为所述第二状态时,将反转位设置为所述第二状态。
19.根据权利要求17所述的方法,其中所述至少一个短路位单元是差分位单元。
20.根据权利要求17所述的方法,还包括:
当要存储于所述位单元内的所述数据位的所述状态为所述第一状态时,识别与所述数
据相关联的多数状态;以及
当所述多数状态为所述第二状态时,在将所述数据存储于所述存储器阵列内之前反转
所述数据。

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